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PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET

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深圳百盛电子

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发表于 2024-1-4 12:04:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包

PL2300.3.png

PL2300.2.png

PL2300.1.png

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