PL60N02D TO-252-3 20VN通道增强模式MOSFET

深圳百盛电子

概述
PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

应用
蓄电池保护
负荷开关
不间断电源