|

针对电子元器件镀金层去除(去金)及搪锡工艺,需根据元器件类型、镀层厚度和耐温性选择合适方案,以下为专业操作指南:
" G" K8 z8 g9 {- K9 y9 ~- q( w9 K3 d5 t
6 x9 `) I6 q6 P u/ ]
: J c" n- T4 z% c
一、去金方法选择与参数控制1 Z/ N1 l8 x+ W; ^- r3 ^8 \
g& ^; \5 N M8 [1 ?8 O, C! J1. 化学去金法
( J. u- w* t k9 |( P3 T/ E
$ B4 C* E* r& I( g- U' C. T9 h- 适用场景:引脚/焊盘镀金层厚度≤2μm的SMD器件(如QFP、BGA)
; ^) `( @0 s) ]( [& e+ Y- 推荐药剂:! E8 {# K7 b4 p) J' J' a2 s- s' G
- ***溶液(浓度5%-10%,温度40-50℃):反应速度1-2μm/min,需通风柜操作(毒性强). z* d5 A0 g- T' ]8 w) P- V
- 替代方案:**+Fe³⁺酸性体系(pH=1-2,温度60℃),环保但速度较慢(0.5μm/min)8 \6 e' A" X7 N
- 操作要点:
8 I5 l- Q- W& L! t" W- 浸泡时间精确控制(镀层厚度/腐蚀速率+10%裕量)1 f; S* V9 o8 Y3 { Q' B: |" d
- 去金后立即用去离子水超声清洗(频率40kHz,3分钟)
% ?( [( U: }5 H. n- z9 n7 x/ @5 \
4 n, X/ E2 V4 k6 }" u5 A, z2. 电解去金法6 K4 x# t; C# ~1 D/ m* l+ c+ d; q
0 G* t7 V# O7 G5 p" K# L- 适用场景:局部去金或厚金层(>5μm)器件(如大功率模块)# Y9 V+ `# l* S8 K% p% U& `2 X
- 参数设置:! t, q8 b3 T9 Q" u; m' e# H+ o
- 阳极:不锈钢板;阴极:工件3 k, C' v# E2 M3 P
- 电解液:***(100g/L)+柠檬酸(50g/L),温度25℃8 p+ U8 J7 g/ P' P- W
- 电流密度:0.5-1A/dm²,电压3-5V
7 k+ I1 I7 e7 {0 k& T1 ]. H; y5 {- 优势:可定点去金,避免化学液接触塑封体
( T( M+ l* H$ n$ [: x* [ s2 }+ o7 C+ |( g* [5 |3 f L2 A
- E. E' v, u9 M4 F0 W" j. P; d) B8 M5 ]2 g3 D& {. s. I
二、搪锡工艺关键控制点
" p, d3 ~, A; x4 z
. t" `3 u4 P* a% D, g! @9 I1. 焊料选择4 Z8 l$ M6 r' _9 `7 w; X
0 N. A1 c2 k$ u4 [. X7 H
- 常规应用:Sn63/Pb37焊料(熔点183℃),需符合RoHS时改用SAC305(Sn96.5/Ag3/Cu0.5,熔点217-220℃)% r4 H3 G7 n" ~' K
- 特殊要求:高频器件建议含Ag焊料(降低界面电阻)
6 c' n% Y5 a. X! h
( f5 |) ~! \$ T& l M2. 温度-时间曲线& L: S8 z- a+ H, z. O: x$ F
; h* W9 }5 }0 u9 F# H工艺阶段 温度范围 持续时间 目标
; m+ a {3 u l6 O& u预热 150-180℃ 60-90秒 均匀升温,减少热冲击
) o u* F4 R( B. I8 t搪锡 焊料熔点+20℃ 3-5秒 确保润湿,避免IMC过厚 1 y- B+ ^" m& S# m# U1 }1 @ V
冷却 <100℃/s速率 自然冷却 防止热裂
# O' B# F2 |7 h( t
, n6 X0 V, x+ h3 j5 x3. 润湿性增强措施 Q, Q. U* w( l8 _1 W: I& t6 u r
; k) ^! |) J! g; X' x/ {2 {- 助焊剂:选用RM**(如Alpha EF8000),固体含量15%-20%
2 G. I- K" }, l. M' P. K. ^- 镀层处理:去金后立即进行,镍层暴露超过24小时需**活化(浓度10%,30秒)6 U2 `: _( g# W
( q9 H& k J( \% C! k. P- U1 Y3 Y
9 s/ X( c6 }$ z
/ u' S" U6 F; a1 O A5 D) e
三、损伤防护关键技术1 A4 k+ W! \$ ^* i2 O$ |
, T7 s# i e) l. m1. 热敏感器件保护0 V+ A; ~( `' ]) r
/ I q, Z* L m- 局部屏蔽:对塑封IC用耐高温胶带(聚酰亚胺胶带,耐温400℃)覆盖非焊接区$ N3 T- L1 R1 u
- 阶梯加热:BGA类器件采用预热台+热风*组合,控制ΔT≤3℃/s
4 ?) S+ X( ?$ C6 u
5 b+ ~9 R0 ~4 @' d2. 化学腐蚀防护
[ e, C" l" }* L# O8 C
8 ]" t% j" n9 R. |9 z( R) [- 掩膜技术:使用光刻胶(如SU-8 2000系列)保护不需去金区域. F' C7 w, Q: Y% j5 T- O
- 中和处理:***去金后需过**钠溶液(5%)中和残留, j0 H) [& m( I/ R
- W/ c7 x9 N- C8 z" @1 ?! ^; D0 n
# X q7 h- W1 w4 E# [4 C. P. J" }1 G: x q) I
四、质量验证方法
! S2 b) V+ y% a. ^7 o9 D6 {% `6 m
. [! \' o o( M3 T1. 去金效果检测:
3 x' |5 H! M9 M$ x' J# U" N: s
- XRF测厚仪检测残留金层(要求<0.1μm)' W4 ~8 V, X# r0 n
- 硝酸蒸汽测试:暴露镍层应无气泡(金未去净会反应)2 t" K- ]5 f3 S2 y& C
2. 搪锡质量评估:/ m, R3 J; X6 x0 x6 D) B
" ]' U9 Z% _0 v6 `' U- 润湿角测量(需<30°) c0 D% J( y4 f: f( w7 C a9 I
- 切片分析IMC层厚度(要求1-3μm,Cu₆Sn₅为主)
% {. t( _+ e1 H6 }# s3 V6 E; i. F! g" B- X. Z: @" `" s
5 ]2 g( G. N* i: p5 D$ y0 n) J4 F* s. O
五、替代方案参考
/ R8 y3 ?. ?/ F0 s( h, c2 H5 i) z' }5 v( l
若器件允许保留金层,可采用:
/ U; J4 B( H4 l8 m1 r9 D
# U& Q8 ?% c$ x: z+ N! t- 低温焊接:使用Au-Sn共晶焊料(熔点280℃),需氮气保护
6 `$ }( X5 m) ^- U2 B1 V- Y. ?- 超声辅助焊接:频率60kHz,压力0.2MPa,可降低温度至150℃
7 w" B4 i- S2 d% E; C; Z8 m }' F; g4 U
4 v+ ]: x; W" X4 b& Y
/ F/ r1 r/ U3 Z9 L$ d! ?0 J4 {: K( o
注意事项:
( ]8 J2 X/ s, J. A7 O/ Z$ E! ^5 @+ M: n
- 军工级元器件需遵循MIL-S**-883 Method 2012.8标准
2 ]8 ?$ O3 _( f& K0 l- 批量生产前务必在报废批次做DOE实验(建议采用田口法优化参数)2 |4 F7 t' C9 D, W; i
/ W; W0 p# F1 K, r3 m+ U, \(建议在无尘车间操作,湿度控制在40%±5%,避免氧化影响)
% R3 ~0 i; k* ?- m
! b+ t0 E( x- a6 C7 B+ T+ S% ]. S专业pcb制造
/ [7 U) h* w' _; G0 i5 M陈生
0 ]4 p9 |5 G+ M* a+ a+ r9 ]13006651771(微信同号)
/ F, y+ o+ E: ~3 r; X7 v8 Y8 tpcb68888@163.com
. g* U6 B! ?& L; u8 B& L. c$ n% p8 O0 B! L, t
|
|