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利用备份寄存器(BKP). D$ R1 n& `9 z
STM32 单片机的备份寄存器是一种特殊的寄存器,即使在主电源 VDD 掉电的情况下,其内容也可以由备份电池供电来保持数据。8 B) U2 [1 I; ]5 g- J) h" ~+ r
$ m7 B8 D! r6 W! p% n这些寄存器可以用于存储一些重要的配置信息或者系统状态相关的数据。( t, \7 a2 f" }
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在程序初始化的时候,读取备份寄存器中存储的复位次数。. F1 m' I% C$ s7 j2 S
3 \) W9 d9 u: s7 T6 }如果是第一次运行(即备份寄存器中没有存储复位次数),将复位次数初始化为 0。
v, z$ B" a+ @' M! I" d# i1 t; s4 k8 X/ t
每次软件复位发生后,将备份寄存器中的复位次数加 1,并重新存储。" r$ m' v5 e& f( `) Y- I; i( }
4 r {/ N0 c- M以 STM32 标准库为例,首先,需要包含相应的头文件stm32fxxx.h(其中fxxx是具体的 STM32 芯片型号,如stm32f10x.h)和备份寄存器相关的头文件stm32fxxx_bkp.h。
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初始化备份寄存器的访问(假设使用 RCC_APB1ENR 寄存器来使能 BKP 时钟,不同型号可能略有差异):
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8 |* Z# {; G) |7 P1 F/ x* ~* lRCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE);9 K8 O! p5 u1 `; d; g* t
读取复位次数的函数可以这样写:8 o8 c6 W0 g# `8 |
# Q: |+ l/ U) m$ g
uint16_t read_reset_count(void) { return BKP_ReadBackupRegister(BKP_DR1); // 假设将复位次数存储在BKP_DR1寄存器中,可根据实际情况修改}
, l& T9 m/ }+ |- g9 d* f增加复位次数并存储的函数:1 V8 B: W* K' }8 j( A, k5 ^: P. O% @
' P$ J. y4 f& G9 E- L6 o5 g" F3 ]void increment_and_store_reset_count(void) { uint16_t count = read_reset_count(); count++; BKP_WriteBackupRegister(BKP_DR1, count);}( { f) e: S1 Q0 B' J
在主函数或者系统初始化函数中,检查并初始化复位次数:( K% P& C# P3 B: M. i+ ?# r" b
7 v; |+ P: `$ J! }* q/ [7 Dint main(void) { // 初始化备份寄存器时钟 RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE); uint16_t reset_count = read_reset_count(); if (reset_count == 0xFFFF) { // 可能是第一次运行或者出现异常情况,初始化为0 BKP_WriteBackupRegister(BKP_DR1, 0); reset_count = 0; } // 其他初始化代码... // 假设软件复位函数为software_reset(),在软件复位发生后调用 software_reset(); increment_and_store_reset_count(); // 主循环等其他代码...}
% T1 [: i: v# Y" i+ ^9 D2$ X% P* U2 o5 Z( |
利用内部闪存(Flash)的特定区域
$ \9 r) ], S2 U: _STM32 的内部闪存用于存储程序代码和常量数据等。3 f( d' a* M8 x+ Q! ?
* f6 j8 o" |' m. i它可以通过一定的编程方式来写入和读取用户数据。
; @! e0 a |5 E3 m3 f0 p7 k" |+ _1 _5 w
在内部闪存中划分出一个特定的区域,用于存储复位次数。
' w* U9 o# c5 M( m4 M- {! P& K3 F h7 U8 U( t
与备份寄存器类似,在程序初始化时读取该区域存储的复位次数。" Q& ~' e" m! ~% S S0 i) ]% P
+ U# ~/ w z* t8 L9 l. ^
第一次运行时初始化为 0,每次软件复位后将其加 1 并重新写入闪存。6 \" j; ^8 ?5 L: H
. n) _+ X- Q) V4 _ o) L N以 STM32 标准库为例,包含头文件stm32fxxx.h和闪存编程相关的头文件stm32fxxx_flash.h。# U6 d! x* I, n1 J. T
?0 O9 G" H- S( c* E
定义闪存中用于存储复位次数的地址(假设从 0x0800F000 开始,这是一个用户可自定义的地址,要确保不与程序代码和其他重要数据冲突): u: g( {. t6 ]' n, p! h9 R
' N S/ S6 K. | Y( L. V) ^% {#define RESET_COUNT_ADDR 0x0800F000
4 ^* q/ d9 t, A+ M读取复位次数的函数:( o- }# K# j s; C- h) x
6 T2 ?- k+ I, Z; |# W7 ~uint16_t read_reset_count_from_flash(void) { uint16_t reset_count; FLASH_Unlock(); // 读取数据 reset_count = *(uint16_t*)RESET_COUNT_ADDR; FLASH_Lock(); return reset_count;}$ {& D- a# u+ z0 t
增加复位次数并写入闪存的函数:
* s- f9 ?5 b3 ?* f: N1 b
+ c* T! T9 J7 ] |void increment_and_store_reset_count_in_flash(void) { uint16_t count = read_reset_count_from_flash(); count++; FLASH_Unlock(); FLASH_ErasePage(RESET_COUNT_ADDR); FLASH_ProgramHalfWord(RESET_COUNT_ADDR, count); FLASH_Lock();}
0 p/ p; E# E- q9 b) d4 b在主函数中类似备份寄存器的方式进行初始化和调用:
$ R# E4 _3 ^ L) ]0 J3 U8 M) g: @7 R" s4 z
int main(void) { uint16_t reset_count = read_reset_count_from_flash(); if (reset_count == 0xFFFF) { // 可能是第一次运行或者出现异常情况,初始化为0 FLASH_Unlock(); FLASH_ErasePage(RESET_COUNT_ADDR); FLASH_ProgramHalfWord(RESET_COUNT_ADDR, 0); FLASH_Lock(); reset_count = 0; } // 其他初始化代码... // 假设软件复位函数为software_reset(),在软件复位发生后调用 software_reset(); increment_and_store_reset_count_in_flash(); // 主循环等其他代码...}
g0 ], y4 O* ~' v$ R- K需要注意的是,在使用内部闪存存储复位次数时,要谨慎处理闪存的擦除和写入操作,因为闪存是有写入寿命限制的(一般为 1 万 - 10 万次左右的擦写周期)。; q1 k7 O) @4 I
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同时,不同型号的 STM32 单片机在闪存编程和备份寄存器的操作细节上可能会有一些差异,具体实现时需要参考相应的数据手册。
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