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CMOS-MEMS单片集成热式流量传感系统的温度补偿技术

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发表于 2025-2-6 08:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言/ \- |, s0 A$ G: q2 z$ t: ?
流量传感技术在工业监测和医疗诊断等多个领域有广泛应用。随着精确流量测量需求的增加,特别是在健康危机期间的呼吸监测等应用中,高精度且具有温度补偿功能的流量传感器变得格外重要。本文引用最新论文探讨了具有集成温度补偿功能的CMOS-MEMS单片集成热式流量传感系统芯片(SoC)的设计和实现方法[1]。
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系统架构与基本原理
# A/ i/ o  i% N4 f- F/ @, E该流量传感系统的核心创新在于MEMS传感器与CMOS线路的单片集成。系统采用P+多晶硅层工艺制造,由中央加热器和对称分布的热敏电阻组成。这种集成方式显着提高了信噪比,同时优化了芯片面积利用率,降低了整体开发成本。0 H& S0 q9 y+ n9 {  c5 ~+ ~; \

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8 r' {( B' D& |2 R( Y图1:(a) MEMS热式流量传感器的三维结构视图 (b) 展示VTD控制线路和惠斯通桥读出线路集成的系统级模型
) L4 ^0 G1 t9 q; |
! Q: n9 i: N) p  S2 G; z9 S传感机制通过围绕中央加热器(Rh)strategically布置的上游和下游热敏电阻对(Ru1, Ru2, Rd1和Rd2)实现。当气体流经传感器时,在上游和下游热敏电阻之间产生温度差。该温度差通过精密的读出线路转换为电信号。系统采用SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺制造,集成了可变温度差(VTD)控制线路和低噪声电流反馈仪表放大器(CFIA)读出线路。1 S# U4 S- F4 y  {9 S

2 h( ?; ]2 M: d+ N1 m5 n2
1 n' |8 W7 h$ W0 }3 }" m. c9 [$ W温度补偿策略1 {, ]! F9 S& U  l0 E
温度漂移是流量传感系统面临的主要挑战之一,在不同工作条件下可能影响测量精度。系统采用创新的可变温度差(VTD)控制线路来解决这一问题。VTD线路采用负反馈环路工作,其中惠斯通桥中的电阻比R1/R2和(Rr + Rc)/Rh配置为k = 5:1。
  ?: f) w/ G. ^0 B' t# W' ?$ E

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! q0 b6 J' v" O1 l+ u图2:显示在不同环境温度下流量传感SoC的(a)过热温度ΔTh和(b)系统输出Vout的仿真结果,说明了温度补偿的必要性。! d* i' Q9 Q. h- X' r& d
4 L$ z4 Z, ]; C9 p
设计中的运算放大器(OPA)实现了108.6 dB的高增益和62.8°的相位裕度,确保了稳定和精确的反馈。VTD线路可以向加热器提供最大3.1 mW的功率,远超实现50°C过热所需的不到1 mW的典型要求。这种余量确保了在各种流速和环境温度下的稳定工作。
9 T" y% x! l$ i! o% ?4 g% A5 ]" F& V! b3 u% c' I! J; a2 a# i
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- \. D& L& S" C& j" N- N制造工艺与实现
% ^) h. R" p, x" ]) m该系统的制造工艺将CMOS技术与专门的MEMS工艺步骤精确结合,实现了完整的集成传感系统。制造流程从标准CMOS工艺开始,随后进行专门的后CMOS工艺以释放MEMS结构。
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- K- p7 P# d0 N2 B( `+ y2 _3 X7 B图3:热式流量传感SoC的逐步制造工艺流程,展示了CMOS和MEMS组件的集成过程。4 _% [! Z) h- |# E/ t

6 `9 ]2 A# l2 d  P/ E4 D5 Z制造顺序包含多个关键步骤,从CMOS芯片的准备开始。随后通过光刻工艺暴露传感器悬浮区域的顶部金属层(M6)。接着进行干法刻蚀去除暴露的顶部金属层,然后用反应离子刻蚀(RIE)将二氧化硅刻蚀至硅基底。制造流程以深度反应离子刻蚀(DRIE)创建垂直沟槽和XeF2等离子刻蚀悬浮传感器结构结束。0 b. I' N. f) O4 u

. ?% A( {5 ^6 w8 r1 Q5 U4
. R+ O- y; S7 E+ t2 G实验设置与验证6 ^9 S& D2 B6 H$ k4 Q3 k
实验验证采用了全面的测试设置,用于评估传感器在各种工作条件下的性能。制造的SoC封装在一个定制设计的3D打印流道中,尺寸为65 mm × 12 mm × 2.5 mm(长×宽×高),并嵌入印刷电路板中。! ?3 c( ?* ]( {, h: w8 W$ z

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图4:显示了带有N2气体流动系统的完整测试装置以及温度箱配置,包括系统PCB和测量仪器。; T7 D$ B6 |' G6 D0 y+ w
% I8 G. K8 v, p' R3 [- v1 S% T
测试设置使用通过压力减压阀和节流阀控制的氮气(N2)流。整个测试装置置于温度箱(SH-222, ESPEC, Japan)中,以精确控制环境条件。实验结果显示温度稳定性显着提高,补偿系统在0-10 m/s流速范围和0-50°C环境温度范围内的温度漂移从±8.9%降低到±1.6%。
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+ E  |8 }: V* q/ K- x% c, F58 p- ?3 w+ T: e& E  ]
性能结果与分析/ {9 ]! p/ a7 M
系统性能评估在各种工作条件下表现出复杂的行为。在恒温差(CTD)模式下,加热器保持约50°C的相对稳定过热温度。然而,系统输出随环境温度变化显示出明显的变化,在9 m/s时相对于25°C的输出表现出±7.9%的变化。
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图5:全面的性能对比,显示了(a)CTD模式温度响应,(b)CTD模式输出电压,(c)VTD模式温度响应,和(d)VTD模式在不同环境温度下的输出电压,证明了温度补偿的有效性。
. f# v7 ?7 q9 @9 T) _
( |/ j% F" \1 R7 ^  b, n可变温度差(VTD)模式的实现带来了显着改进。补偿策略使用精心选择的补偿电阻Rc,在25°C时电阻值为748.21 Ω,温度系数为3.037 × 10?3 °C?1。这种配置通过将PT100电阻与PT500电阻并联,然后与另一组PT100和PT500电阻串联实现。2 z7 w; m, ^) `

, {, S% R! [( K5 Z$ C8 A" B' f6/ V( W! ~4 Y, C: n2 g
总结  D4 |  w' r+ I4 \, {5 L) p/ N3 e
该集成系统显示出在医疗应用,特别是呼吸监测等领域的应用优势。单片集成方法减小了系统尺寸,降低了成本。系统的性能特征包括宽工作范围(0-10 m/s),低功耗(
6 X2 p. w7 u% W6 J& X+ o
1 M7 j" c  ~6 h/ h# d8 R参考文献8 J& e) d! Q$ E9 h/ A  u
[1] L. Hong, K. Xiao, X. Song, L. Lin and W. Xu, "System-level modeling with temperature compensation for a CMOS-MEMS monolithic calorimetric flow sensing SoC," Microsystems & Nanoengineering, vol. 11, no. 13, pp. 1-11, Jan. 2025, doi: 10.1038/s41378-024-00853-8.
8 _6 `" B0 j" l0 G- z' hEND
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转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!$ x$ x  I+ k  p4 r3 F
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- U4 d1 ^0 p; [4 F/ l: Y关于我们:/ W8 D7 b# R" z& |: Z
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