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引言
. U2 F+ m9 c: V" k7 E5 m4 M& @. g铌酸锂薄膜(TFLN)波导因其卓越的电光特性和非线性特性,正成为集成光电子技术中的核心材料。这种波导结构通过提供高折射率对比和强光场限制,为现代光电子技术器件的小型化与高效设计提供了基础。本文从基本原理、模式分析到导模特性展开,介绍铌酸锂薄膜波导的相关研究[1]。: ? W; ]. S @
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" N4 x0 N& ~5 z5 [, r& |/ ]铌酸锂薄膜波导简介& a7 s' i8 J# y+ }: l
铌酸锂薄膜或称铌酸锂绝缘体(LNOI)波导由一层薄铌酸锂核心层和硅氧化物缓冲层组成。这种结构因折射率对比大,能实现高效光场限制,被广泛应用于以下领域:
+ W: E# u# l& C. W* a6 S) f n光量子技术系统' f0 _9 m% }' G$ p, ]( |
光计算
* L# A/ q9 U1 B6 o7 c- `$ U单光子态处理
8 w L1 d$ @, t+ {铌酸锂的双折射和各向异性特性为模式分析带来了复杂性,通常需要结合解析和数值方法加以解决。 i6 \- {+ H. }+ W# c# a. r* w/ ?0 j
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铌酸锂薄膜波导的结构配置
$ f% e8 N4 N+ t' I( c根据晶轴的切割方向,铌酸锂薄膜波导可以分为:8 m* G! @, p- s' u+ i6 R
X切片波导:垂直于晶体X轴或Y轴切割。Z切片波导:垂直于晶体Z轴切割。+ \& R" J% X7 S4 Y9 \' o# N0 e; Y$ d
每种结构的光学特性各异。铌酸锂薄膜嵌入波导结构的示意图见图1,图中展示了晶轴方向与坐标系之间的关系。
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( v- K$ M0 H. {# U图1:铌酸锂薄膜波导的光传播方向示意图:X切片(a)和Z切片(b)结构,标注了不同坐标系。1 G/ S+ D' m. W' ]' g& G
% I, N1 f& y* S/ \6 x铌酸锂薄膜波导的模式分析9 i& b6 K! q6 P* T2 E6 X
模式分析的核心是通过求解麦克斯韦方程,确定波导的导模特性。关键步骤包括:定义波导的几何结构和材料特性。确定各向异性核心层的介电常数张量。通过特征值问题求解模式的传播常数。
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典型波导结构及其相关参数见图2。2 `. q7 C+ C) X. ^0 q+ e
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+ p8 v3 P0 u% C0 P6 M8 ` B: R图2:TFLN波导:核心层厚度为dd,位于底部衬底与上层覆盖层之间。光沿zz方向传播。
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- v5 `4 A4 P0 ], g3 q材料特性与光学特征6 X' E/ I( D2 B' K0 D" H/ k
铌酸锂的光学特性由其普通折射率(non_o)和非常折射率(nen_e)决定,这些参数随波长变化。折射率与波长的关系如图3所示。& X: f4 y5 k; L* a" ?! I* ]5 T
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图3:铌酸锂材料(non_o、nen_e)的折射率与波长的关系曲线,包括块状和薄膜样品的数据。
+ k. l2 n x, \, w& T& s% b( ~+ o x( F. {
X切片与Z切片波导的导模特性6 `/ m* \7 K5 {& I9 {9 n8 L; b
X切片波导的导模
8 ^, g/ q& K/ E# xX切片波导支持TE和TM偏振耦合的混合模式。混合程度由传播角度和波导厚度决定。图4和图5分别展示了空气覆盖层和二氧化硅覆盖层的色散曲线。5 S* Q6 F. s4 C% ^1 M5 O
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图4:X切片波导(空气覆盖层)的导模:有效折射率与核心厚度的关系,针对不同传播角度。
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+ S8 c$ Z6 l: [4 A: F图5:X切片波导(二氧化硅覆盖层)的导模:有效折射率与核心厚度的关系,针对不同传播角度。: u( H# _9 D( c+ r: a9 B: Y7 k
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Z切片波导的导模+ B& P3 V6 r6 ~* Y3 e
Z切片波导展现了独立的TE和TM模式,没有混合现象。有效折射率由波导厚度及non_o、nen_e决定。色散曲线见图13。
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8 P! s% g% [: e7 S# z图6:Z切片波导的导模:有效折射率与核心厚度的关系,分别针对空气覆盖层(a)和二氧化硅覆盖层(b)。
4 e6 @3 L6 H7 ?# F7 b+ Y% y, g$ b1 S. {0 }; [6 Z& w
模式偏振特性与混合分析
+ n Q1 d- L: c1 U0 {% r通过偏振比(Π\Pi)可以量化模式的TE与TM分量占比。图12的色彩图直观显示了X切片波导中强混合模式的分布情况。% W+ N$ c. T @; m: X
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图7:X切片波导中模式的混合程度:不同核心厚度和传播角度下的混合区域色彩图。
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; \! K! |$ x4 S2 v, P" X模式剖面与场分布" e' r0 n$ k s
矢量场剖面提供了电场和磁场的分量信息。图6-9展示了X切片和Z切片波导的典型模式剖面。
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图8:空气覆盖的X切片波导中导模的电场与磁场分布剖面。
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图9:二氧化硅覆盖的X切片波导中导模的电场与磁场分布,几乎没有混合现象。2 A$ Z5 v5 @3 r8 |
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应用与分析
1 [( P4 J6 z- M铌酸锂薄膜波导在光电子技术线路设计中具有重要作用:
6 ^ ^4 _2 O( ]( c7 r8 k/ w. u模式特性的深入研究支持更高效的器件设计。
' J! s% | c9 A$ O' _1 @& Z混合模式的特性为光电子系统设计提供了新的功能。/ K: ?3 c* }& e+ \. i- p
模式分析工具可用于优化与验证设计方案。6 s! a8 _8 p3 f: l3 y. c3 m) l
3 E: u5 N* D/ ?1 {% H结论( U3 n: s& W. Y$ S: f
铌酸锂薄膜波导因其独特的模式特性,在集成光电子技术中具有重要地位。通过对模式行为的深入分析,研究人员和工程师能够更高效地利用这种材料平台。本文详细解析了铌酸锂薄膜波导的理论基础、模式分析方法以及实践意义。! c/ q6 X8 E2 u5 p3 E
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参考文献
{3 Y3 G5 o( l, [[1] M. Hammer, H. Farheen, and J. F?rstner, "Guided modes of thin-film lithium niobate slabs," Optics Continuum, vol. 3, no. 11, Nov. 2024. [Online]. Available: https://doi.org/10.1364/OPTCON.532822
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3 F: g6 m* n+ t深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。& P2 c! m! p( U% ]0 A: h
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