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1、晶体请采用π型滤波方式2 H6 R& i3 ^( D, R' F0 j. P" J
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+ x5 K( h. ^3 A/ l( b# [1 ^布局要求： 1、布局整体紧凑，一般放置在主控的同一侧，靠近主控IC。 2、布局是尽量使电容分支要短（目的：减小寄生电容，） 3、晶振电路一般采用π型滤波形式，放置在晶振的前面。 3 [# f& E( P3 l1 g9 u# N
布线要求： 1）走线采取类差分走线； 2）晶体走线需加粗处理：8-12mil，晶振按照普通单端阻抗线走线即可； 3）对信号采取包地处理，每隔50mil放置一个屏蔽地过孔。 4）晶体晶振本体下方所有层原则上不准许走线，特别是关键信号线。（晶体晶振为干扰源）。 5）不准许出现stub线头，防止天线效应，出现额外的干扰。 8、继电器为干扰源，请对本体下面的所有层都进行挖空处理，并且走线进行加粗处理。
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