NP3415EVR-G SOT-23 20V P通道增强模式MOSFET

深圳百盛电子

概述
NP3415EVR采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅电荷和栅电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=-20V，ID=-4A
  RDS(ON)(Typ.)=46mΩ @VGS=-2.5V
  RDS(ON)(Typ.)=38mΩ @VGS=-4.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包
ESD等级： 2500V HBM

应用
&#61557WM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23