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求教个问题,看了一个文档,说下拉电阻可以用来做电平电容,没遇到过,哪位朋友帮忙举个例子。
6 w5 M# |- o: W; E! U8 o原文如下:+ d( e* p7 j' r+ l# S0 D
2·下拉电阻的选取原则:9 s8 E6 e6 ^* e5 ^% E0 l
A·电平兼容:, Z& E4 ?/ D" P8 v7 C( F; O, O
板内或板间器件选取各不相同,信号电平特性各不相同,出于兼容性的考虑,须加下拉电阻以保证兼容性。
! R# i& \% g, F5 ZB·端接:
2 W# H) U; i( G! I+ T' G7 L板内或板间的信号频率较高或信号上升沿较陡时,需要加端接
( d* z+ D- i, k* C电阻下拉到地,一般此时经常性的会再串入一个适当的电容。/ q9 N1 H* E4 v8 W
C·电平稳态特性:
. ^9 i9 B/ A' ~2 G9 c# j个别器件在上电时要求某些管脚的初试电平固定为低,此时必
$ D: g% H5 I# _, P0 f* E8 T- k须加下拉电阻以保证器件能够正常的工作。; D" q# o, e) T% K) ? d3 Y8 `
D·器件及参数选取:9 n" N( F% K$ d
对于A,下拉电阻一般选取1K~100K欧姆,视负载电平情况2 e) H, T3 c9 d% V5 m
而定,CMOS电平的负载,电阻应选取下限,TTL电平时选取上* P$ A8 U' w% \
限,这里的电平以负载指标来确定;对于上述B的情况,一般选取
( W) S. h8 r7 e/ R- K& v5 }* {- i$ a75~150欧姆的电阻;对于上述C的情况,则以该种器件的数据特6 J& W# O% q: [8 C. z, {& B* K
性来决定;器件一般以金属膜的电阻或阻排为准。
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