|
版本一: / e9 v8 `4 e9 \1 B
简单说来,可以这样理解:8 F0 v z1 ]" ^: J
一、解释 :9 q; G9 ]- K3 v' e
VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压;
# c# S5 y% L. R! EVDD:D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压;
: s# I- x6 N3 m! eVSS:S=series 表示公共连接的意思,通常指电路公共接地端电压; VEE:负电压供电; VPP:编程/擦除电压。 " _- ?7 F' L+ D2 I5 s% _% Z
二、说明 :! [* C; u+ l' Q( @
1、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点。 3 |! k8 f) ?, `+ c6 h) V2 m
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚,说明这种器件自身带有电压转换功能。
& M, V. g0 n/ {6 W3、在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。 ; h5 l& Z3 P2 k4 O- j' R) Q+ ~. j4 S
版本二:
) d, H5 K5 c) C8 N; w) jVPP:编程/擦除电压。
7 {1 n. E$ n9 q8 R1 Q- N8 B4 xVEE:负电压供电;场效应管的源极(S) VSS:地或电源负极 " s% C4 H, t% i: x
VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路);声控载波(Voice Controlled Carrier) VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电 路);漏极电压(场效应管) : G* T4 v/ {8 W# j
版本三:
5 J& d7 u/ X* l通常VCC和VDD为电源正,而VEE和VSS为电源负或者地。 VSS表示连接到场效应管的源极(S)的电源。 VDD表示连接到场效应管的漏极(D)的电源。 VEE表示连接到三极管发射极(E)的电源。 VCC表示连接到三极管集电极(C)的电源。 它们是这样得名的:
9 o" Y( ^! }: Y) n `/ D/ ZVCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点,详细接电源的极性需视器件材料而定。 VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极,VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。 同样,VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。 例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成,那么它的VDD就应接电源的负,而VSS应接正电源。 版本四:
! _, R2 L8 F" |$ a- S( WVcc和Vee出现在双极型晶体管电路中,和集电极(collector)发射极(emitter)有关,所以一正一负。 Vdd,Vss在MOS电路中出现,和漏级(Drain),源极(Source)有关,也是一正一负。
) t. D2 G3 ^ P( ~Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正,Vdd多半是单级器件的正(例如:二极管)。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C,和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。
$ U; x: d! S, g9 Q单片机中Vpp多数定义为编程电压,有的资料上把Vddf为Flash供电的外部电压总结:这四个版本从两个方面讲了VCC、VDD、VEE、VSS、VPP之间的区别,前两个版本一个方面,后两个版本一个方面,互相补充 。
4 @* ^$ ^4 C9 g" ^5 Q5 k% x7 A
3 O; o& W$ ~6 b" e# Z
; {( U* Q0 ?- c$ Q6 Z# [6 n6 W我在其他论坛上看到的 也在这里给大家分享  
/ N9 w1 ^) _! ~5 c# K" b- s, ^3 _+ U* u7 X6 h$ P: ?' w3 K
7 ~; p8 K2 @6 p. X. ?& f |
|