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[作业已审核] 弟子计划William + T点2xDDR3(第一次)

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发表于 2020-8-9 16:21:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
老师好,


1, 并联电阻要放在第一个 T点,长度不超过500 mil, 串联电阻要放在控制器端;
2, 阻抗特征一般为 50 ohm, 除了差分是 100 ohm ;
3,  数据线每10根一组;
4, 信号线的间距要满足3W,其他线也要尽量满足3W。 不过 BGA 另外因为里面太窄。
5, 信号线不能跨分割。
6, T点的过孔打在两片DDR 的中间;
7, 数据线最大长度不超过2500 mil, 所以一般DDR 与 uC  之间的距离推荐600 到 800 mil;
8,  组内长度误差为50 mil, 地址线误差为 200 mil, 差分误差控制到 5 mil;

谢谢!

2XDDR3.PcbDoc

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发表于 2020-8-10 15:44:36 | 显示全部楼层
没什么问题,等长美观度也做的很好。

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谢谢黄老师!  详情 回复 发表于 2020-8-10 16:38
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发表于 2020-8-10 16:38:31 | 显示全部楼层
凡亿黄老师 发表于 2020-8-10 15:44
没什么问题,等长美观度也做的很好。

谢谢黄老师!
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