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[硬件设计] MOS管寄生电容

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发表于 2019-10-21 11:55:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS管寄生电容
+08:00C204联盟网1485..png
寄生电容是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联,低频情况下表现不明显,而高频情况下,等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻,电容,电感,还是二极管,三极管,MOS管,还有IC,在高频情况下要考虑到等效电容值,电感值。
+08:00C204联盟网6555..png
.我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边,如图所示,由于MOS管背部存在寄生电容,这会影响到我们的MOS管的开关断的时间,故此,如果MOS的开关速度很快的情况下,建议选型优先考虑到本身MOS管器件的内部的寄生电容的影响。
+08:00C204联盟网5910..png
如图所示电容随着VDS电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容。当电压增加时,和VDS相关电容的减小来源于耗尽层电容减小,耗尽层区域扩大。然而相对于CGD,CGS受电压的影响非常小,CGD受电压影响程度是CGS的100倍以上。

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