场效应管工作原理,最全面场效应管工作原理-KIA

xunavc

       MOS管MOS场效应管电源开关电路。
7 j: b! F2 [' W5 e1 D* D
4 M1 Z/ M2 K4 u" Y1 h　　简单解释一下MOS场效应管的工作原理。

% u' b( X4 g! q/ W　　MOS 场效应管也被称为MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它普通有耗尽型和加强型两种。本文运用的为加强型MOS 场效应管，其内部构造见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，关于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样关于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们晓得普通三极管是由输入的电流控制输出的电流。但关于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，能够以为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的缘由。

　　为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先理解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们晓得在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流经过。这是由于在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸收而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而构成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被汇集在P型半导体端，负电子则汇集在N型半导体端，电子不挪动，其PN结没有电流经过，二极管截止。
9 M  D0 F) O) U- n; {　　关于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸收出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挠，使得电子汇集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而构成电流，使源极和漏极之间导通。我们也能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决议。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理相似这里不再反复。
. [# \+ f! J: j& ^. }' W. ^4 H
! u/ y9 u4 l) V; d/ ]& Y5 g　　下面简述一下用C-MOS场效应管（加强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个加强型P沟道MOS场效应管和一个加强型N沟道MOS场效应管组合在一同运用。当输入端为低电平常，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平常，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。经过这种工作方式我们能够取得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正由于如此，使得该电路不会由于两管同时导通而形成电源短路。
$ m% N! L, L6 L2 Y! S
2 b! p; w4 _5 T4 p! `    场效应管SI7615ADN-T1-GE3 的参数
. W% o$ ~+ g0 {# [　　零件号别名：SI7615ADN-GE3
) d0 n. e( ]: V; N( ^9 S5 M" k- v$ y　　功率耗散：52 W
　　包装形式：Reel
　　封装形式：PowerPAK 1212-8
　　安装风格：SMD/smt
% V0 C' N8 R/ \  n4 r  q　　配置：Dual
; a5 i) ~, X/ \, n, [　　电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.4 mOhms at 10 V漏极连续电流：- 35 A
2 @( p1 i$ |" d2 ], s4 T　　汲极/源极击穿电压：- 20 V
, l) m8 E8 B# P% G$ t' r2 O& ~. z% T　　晶体管极性：P-Channel
" T* P$ K8 X2 a2 ?+ E0 y2 F　　RoHS：是
4 P  q8 z) ?( r' |0 O( S% \　　产品种类：MOSFET
; b8 e, P1 b  j0 Z1 m; g4 h　　制造商：Vishay
: u' X) y3 N0 |5 R# I

6l6pp

好！

lhtlhtl

               

5楼105317

感谢分享2222