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! V/ f1 t; ?$ P g# I9 S# RDual Asymmetric N-Channel Power MOSFET
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BVdss Rds(ON) ID
6 S+ c k ^0 A$ u+ z$ \30V 3.2mΩ 50A0 n' d. x9 Q- G% `7 j
8 D$ P9 [' d* H% K; k' r
产品特征
+ [& e |) H9 Y3 F8 l! j1、低RDS(on)以最小化传导损耗。
* f' W+ v6 m* H6 `! |4 |# V2、高功率封装(P PAK 5X6) s, I% G- f1 a- B* R! V
3、无铅无卤素且符合RoHS标准
* L+ Z# S. o. \4、快速开关速度
; A7 G8 ~- g! V3 a! R5、100%雪崩测试过
+ E5 u# n. D5 e% d, v$ t; c% R$ W
% \& K' y& L$ G* f4 Y应用领域
0 X: P6 Y+ _+ D+ U1、服务器板载电源。
- p8 X$ n; q) A3 N1 E# {7 S2、直流/直流转换器。/ D3 U$ r' Q$ V% T
8 c2 a5 L# |& |* D3 H+ B1 }% ?" Y! O
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) K& j' W3 ]+ L" a) Q砹德曼全系列供应,如需了解相关资料,欢迎联系咨询。# c2 G7 Q: y2 M3 b g
吴先生:19928734273【微同步】
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