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Dual Asymmetric N-Channel Power MOSFET+ M2 X2 l: p) U
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3 \7 o$ A9 C8 U0 ]' C30V 3.2mΩ 50A
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: E3 u) X5 S) X产品特征; H; E& Y) p& N* N
1、低RDS(on)以最小化传导损耗。7 I& B6 w! b/ g: }% a
2、高功率封装(P PAK 5X6)/ C) R: f* F7 y* t, Z
3、无铅无卤素且符合RoHS标准7 T( \ q9 l9 Y" w2 _; O9 B
4、快速开关速度. [7 X- e* u0 I3 E
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% d) Q" E" e! F, v5 x应用领域
z# |* A& Y" d+ C1、服务器板载电源。1 l# Q5 G1 r; [) ]" K
2、直流/直流转换器。
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