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NAND、eMMC与UFS选择哪款嵌入式存储介质

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发表于 2025-3-29 08:02:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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: i! N* x; \/ q0 g1
! g5 y9 j1 t0 j) dNAND Flash 存储
! l4 I- S: X- ?: ]& UNAND Flash是最基础的存储技术,广泛应用于各类嵌入式设备中。
8 M/ o7 [1 F  e" i4 J! U" S, e4 ^. K5 J1 J  n9 S4 v
NAND Flash存储由一系列存储单元组成,每个存储单元保存一定量的数据,采用的是闪存技术,因此断电后数据仍然能够保持。# t5 i. m# h" M/ u7 h
  • 容量:NAND Flash通常具备较大的存储容量,适合大数据存储。
  • 性能:读取速度相对较快,但写入和擦除操作较慢。
  • 耐用性:NAND Flash的擦写次数有限,一般为1000至10000次。
  • 功耗:相对较低,但频繁的写入操作会增加功耗。
    ' j( s" f; r6 H! ~" PNAND Flash常用于需要大容量存储但对实时性能要求不高的场合,如固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器、SD卡等。" s8 e' V4 C& n5 ?9 m0 u
    ( ?) f& O$ V( U

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    3 l; i* j) k: l" |3 t, M; H' g0 E! x& Y, M使用NAND Flash有一些优化策略如下:
    2 w  P& _4 @* M  |- f
  • 坏块管理:由于NAND Flash存在一定数量的坏块,设计时应加入坏块管理机制,通过冗余技术进行替代。
  • 写入均衡(Wear Leveling):为了提高耐用性,采用写入均衡算法,均衡擦写操作的负载,避免某些块频繁擦写。
  • 垃圾回收:通过垃圾回收机制定期清理无效数据块,优化存储空间的使用。
    6 _9 p& a; n% h, [
  • // 写入均衡示例代码 (伪代码)void wear_leveling_write(uint32_t sector, uint8_t *data) {    uint32_t block = find_best_block();  // 查找最少擦写的块    nand_flash_write(block, sector, data); // 写入数据}
    # h0 c0 F# L# H8 {9 x: H, ^2
    % w5 `8 H4 f7 i/ _" U$ z: i$ XeMMC 存储
    & w* [" w; f& P) P& [eMMC(嵌入式多媒体卡)是基于NAND Flash的存储解决方案,它集成了存储控制器和NAND Flash芯片,常见于智能手机、平板电脑等设备中。
    7 q6 X3 @+ P% r7 f8 n
    : m" y3 ~# O# O) x1 X: ]eMMC将NAND Flash存储和控制器整合在一起,提供了一个相对简单的存储解决方案。
    $ B$ @0 Z: O; g+ @& R) `* \$ U5 Z
  • 容量:一般提供较大的存储容量,通常从4GB到256GB不等。
  • 性能:相较于传统NAND Flash,eMMC在读写速度上有一定的优化,但相较于UFS稍逊色。
  • 接口:采用MMC接口,通常使用8-bit的数据总线。
  • 可靠性:eMMC内置有一定的坏块管理和写入均衡机制,减少了外部干预。
    ; Q/ h- W5 g: V6 ReMMC广泛应用于对成本和功耗敏感的中低端消费电子设备,如智能手机、嵌入式设备、车载系统等。2 f# @. c) a9 J' a

    , O! |/ F2 x& s8 g# Y& E

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    & T6 \! a' t4 U( V$ ~/ L& n6 Z4 O
      g- Z0 h$ o2 x% S- m- N2 p
    使用eMMC有一些优化策略如下:$ L2 u% a6 F0 \2 W  {1 C
  • 增强错误检测和修正(ECC):eMMC内部通常集成了ECC来保证数据的可靠性,可以根据不同的应用需求调整ECC级别。
  • 缓存管理:通过优化缓存策略,提高数据写入的效率,减少频繁擦写带来的性能问题。
    7 P% N$ g1 t9 K3 a; q" Z
  • // 简单的eMMC写入操作int emmc_write(uint32_t sector, uint8_t *data) {    if (emmc_is_ready()) {        return emmc_write_data(sector, data);    }    return -1;}
    2 |1 H+ q& ]- c% f* ?7 v3& c2 U* c- l+ K* F
    UFS 存储
    ; n1 @/ g4 m( e7 E# _$ oUFS(Universal Flash Storage)是一种高性能的存储解决方案,相较于eMMC,UFS在速度、数据传输效率和接口技术上有显著的优势。6 b. e, L( u, ?. O8 H% ^
    + s; W4 C' X9 i5 `( X5 _4 E
    UFS采用了类似于SATA的串行接口,提供了更高的数据传输速率。
    7 L- g; F1 k& z/ C. s5 Z
  • 高速性能:UFS提供比eMMC更高的数据传输速率,能够支持高带宽需求的应用,读写速度通常在几百MB/s至数GB/s之间。
  • 全双工传输:UFS支持全双工数据传输,允许同时进行读写操作,大大提高了效率。
  • 低功耗:UFS在性能上有优势的同时,仍然保持较低的功耗,适合高性能嵌入式系统。
  • 可靠性和耐用性:UFS拥有更先进的错误管理和坏块管理机制,适合高负载、高频繁写入的场景。: q) @" k0 w* ]: G) Y
    UFS广泛应用于高性能智能手机、嵌入式工业设备、汽车信息娱乐系统等,尤其是对数据吞吐量和响应时间有较高要求的场合。. L9 l& v$ f. B6 Z
    , h( n3 O4 {9 g# A% S

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    ; ^3 H. v, t* @7 h% D8 Z( H: o

    5 ~  R, @) Q( v6 L2 E使用UFS存储有一些优化策略如下:( C  M) r  V' Q2 ~6 ~& g( }
  • 深度队列管理:通过优化队列管理,减少写操作的延迟,充分利用UFS的全双工特性。
  • 多通道数据传输:UFS支持多通道数据传输,在设计时应根据设备的能力和需求合理配置。1 G5 l5 ?9 ^" C# K& O
  • // UFS写入操作示例int ufs_write(uint32_t sector, uint8_t *data) {    if (ufs_is_ready()) {        return ufs_write_data(sector, data);    }    return -1;}在选择存储介质时,开发者应根据应用的性能需求、成本预算以及功耗要求做出决策,并对所选存储介质进行适当的优化,以实现系统的最佳性能和稳定性。
    + Q4 Z) M, A( {5 ^/ V' k8 l

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    & V0 G  W0 X4 [. V! _7 i0 d" f6 [+ ?. {点击阅读原文,更精彩~
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