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SOI平台上热光相移器设计优化与热串扰抑制技术

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发表于 2025-1-3 08:01:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言7 \# ?# \7 F" Z- T- j" b& |9 c
热光相移器(TOPS)已经发展成为硅基光电子技术的基础组件,在传感、开关、高级通信和神经网络等领域有广泛应用。在硅绝缘体(SOI)平台上,这类器件具有结构紧凑、晶圆尺寸大、成本低、良率高以及兼容CMOS工艺等优势。本文探讨热光相移器的设计优化以及在SOI平台上抑制热串扰的方法[1]。2 I1 N9 Q# N+ d) k3 |" B4 @

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& L/ F; J# ^* |' w, v

  X# o2 ?% D. L: B12 v" K/ n# E' K
热光相移器的设计基础
9 d" v8 x2 S5 w* i热光相移器的核心原理是利用热效应改变硅波导的折射率。常用的设计方法主要有两种:位于波导上方的金属加热器(通常使用TiN)和放置在波导旁边的掺杂硅加热器。每种设计都具有独特的特点和权衡因素。
: o5 `3 F% n( h9 V

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6 a& ~9 m5 r! t: V; c图1:TiN和N++ Si设计的热学和光学仿真结果,显示了温度分布、热特性、瞬态响应、光模式分布和相位变化。该图展示了不同加热器配置对器件性能的影响。# b$ R. y! _& s: r# e# z

/ M$ s6 ~7 F. w8 }热光相移器的效率和速度由以下关键方程决定:
! C, h4 W* D1 [! O  s) D# s2 `1 w4 v8 a; n8 I! l  u, e# A
P = ΔT × G × A
6 D! d3 M  A4 K
2 O) {& D; R8 b7 H5 l其中P为功率,ΔT为温度变化,G为热导率,A为面积。时间常数τ由下式给出:
7 a+ X! L5 o; m; w- P! D) D
' Q/ B6 h4 X3 y( r& S! wτ = H/(G × A)& [- {6 _$ c# k
: B0 a2 _# \# E* c- ~+ r5 T: u
其中H为加热臂的热容量。- O5 Q6 {! k+ U5 K

  r5 G1 R+ z4 y% O9 X/ P5 C; c& m2 {2& {0 q: M* ]/ h3 t3 u5 ~, U  a, R
优化策略; M: z& b* ?! ^, {* e+ r
优化热光相移器设计需要考虑多个因素:
  • 加热器宽度:电阻元件的宽度对效率和开关速度有显著影响。5 D1 M* I$ y7 n
    TiN加热器的最佳宽度约为2.5μm,而N++ Si设计每个电阻的最佳宽度为1.0μm。
  • 缓冲距离:在掺杂硅设计中,加热器与波导之间的距离(缓冲宽度)对于平衡效率和光损耗十分重要。/ H" d: o& Y0 ?: T* ^1 o
    [/ol]5 y0 a5 F, Z' Q1 D7 l' l4 r

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    8 I8 }7 j3 |1 S
    图2:电阻器宽度对热光相移器性能的影响,展示了不同设计的开关功率、时间常数和性能指标。
    & |2 V; O) ], w) [
    ) s- g, i: L2 s- }; `3+ o  g% r- K, d
    热串扰管理6 r( [, J( p$ I+ Z) @8 p/ ^
    在高密度光电子集成芯片中,相邻器件之间的热串扰是一个关键考虑因素。研究了三种主要的热隔离方法:
  • 默认氧化物包覆
  • 刻蚀氧化物区域
  • 深沟槽
    - f5 f- D4 ]0 G/ w[/ol]% u" ?/ Z9 y- o) C- h5 T# n

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    ' ]2 j+ Z/ {, F. d: V8 L" `8 W+ ^图3:受害MZI中相位变化与加热器功率的关系测量结果,展示了各种隔离技术的有效性。7 e/ g% ^, Z# {8 a) @9 ?

    * ?+ x" E- ~" S9 f, E7 z1 B4
    . M, D% r2 ]5 n7 _/ p' G! S# d" M性能特征) i! |5 i4 E1 M. z" S0 [; M% q" e  @
    优化后的热光相移器显示出明显的性能特征:! A" c. m. b7 l6 C

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    5 A, ^, F1 @- C图4:N++ Si和TiN加热器的交流测量结果,显示频率响应和时域开关行为。7 s, W3 S  D% Z, L: |

    8 t& H. _0 R7 t8 W主要性能指标包括:
  • 开关功率(Pπ)' ^: O; c+ |% x( A
    TiN设计为21.4 mW,N++ Si设计为22.8 mW
  • 时间常数
    5 y# r' `0 P! M/ y2 S7 jTiN为5.6 μs,N++ Si为2.2 μs
  • 光损耗$ ^6 F( b( O: R( H1 V
    两种设计均
  • 功率稳定性
    " n7 m  P* {, t6 u9 y* h3 j, ^  r7 h10分钟内变化
    + w* }" o2 J5 H& e' |1 t: ?[/ol]5
    . m% k3 c1 T* u/ j' \! F* e实际实施考虑因素4 |, k4 S7 d/ ~+ n# Y4 ^
    在实际器件实施过程中,需要注意以下几个方面:
  • 温度分布* d: U! u4 X- S8 H4 h
    必须高效地将热量传递到波导,同时最小化横向扩散
  • 电接触, \6 C5 Y: S1 ]! u) Q4 i
    合适的金属化和接触设计确保可靠运行
  • 布局考虑
    0 A4 j2 j8 W. G; @' I  B器件间距必须考虑热串扰
  • 工艺兼容性+ F% |# s3 P; o: I1 w/ V
    设计应与标准CMOS制造工艺相适应% ?( }5 o9 q0 \- S3 X% M
    [/ol]
    , ?* y; F+ V; v& j' F

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    * O( ^# [+ \- R- D$ S
    图5:最终的加热器布局,显示TiN和N++ Si热光相移器设计的横截面和俯视图,说明了实际实施细节。% w2 r. E) j9 s, G3 Q% B- h( L
    , O, c* Y; ~5 z& i9 e7 F
    6) _/ a1 B* Q( Z& p; ^/ R
    结论: B; _/ e" q9 o  d. T) N+ k, f
    热光相移器设计的优化是硅基光电子技术发展中的重要进展。TiN和N++ Si方法都提供了可行的解决方案,但N++ Si设计在具有相似功率效率的同时表现出更优越的开关速度。在不使用特殊制造技术的情况下,深沟槽技术证明是最有效的热隔离方法。# q8 h+ A& l$ V  ~
    - k5 m- C. W" ~0 J7 o. ]4 |
    参考文献' N  c7 ~1 T. k( e
    [1] M. Jacques, A. Samani, E. El-Fiky, D. Patel, Z. Xing, and D. V. Plant, "Optimization of thermo-optic phase-shifter design and mitigation of thermal crosstalk on the SOI platform," Optics Express, vol. 27, no. 8, pp. 10456-10471, Apr. 2019.
    4 Q$ k# K) b6 oEND6 G( z$ h# N, w# M$ R  \2 W  @) U

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    % \4 L: x( y& Z! ]5 K* r. q关于我们:
    # H5 R. k4 h: A+ D4 k( F2 L3 O深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。$ ?1 K7 S7 S. B2 n$ i4 q

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