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高带宽存储器 (HBM) 技术推动 AI 应用发展

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发表于 2024-12-23 08:02:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言7 [/ C- v% ^+ z5 h: v2 K+ T
高带宽存储器 (HBM) 正逐渐成为 AI 加速器、图形处理单元 (GPU) 和高性能计算 (HPC) 的关键技术之一。随着 AI 模型(尤其是参数规模达数万亿的超大语言模型)对实时训练和推断性能需求的提升,存储器带宽与容量的升级变得尤为重要。本文将详细探讨 HBM 的发展历程、技术驱动因素、制造挑战及未来趋势[1]。2 {6 N) L) Q# P  m
$ i; S& U  o" A+ a$ ]
HBM 技术的发展
% Q( o  G3 r* |4 _: i- GHBM 的研发始于 2008 年,当时的目标是解决传统计算存储技术功耗高和占用空间大的问题。通过引入更多 I/O 通道,HBM 实现了在保持功耗稳定的前提下提升带宽。例如,与 GDDR5 DRAM 只能提供 28 GB/s 的带宽相比,HBM 第二代通过 1,024 个 I/O 通道,实现了 307.2 GB/s 的突破。. {+ o% M. V$ L' n% N
- a- l) |# P7 H. {( [; A( H
HBM 技术的持续迭代带来了 HBM3 的广泛应用以及 HBM4 的即将问世。HBM4 将数据线从 HBM3 的 1,024 条增加到 2,048 条,大幅提升带宽,同时集成更高效的堆叠技术以解决热应力与功耗问题。+ k! t# Q1 Q; i
- m7 v0 A( i* E- _
推动 HBM 技术的核心因素
* ]( ^9 G6 F0 c* K1 t1. 硅穿孔 (TSV)9 Z* o9 T) {5 Y  M& C! L
TSV 实现了垂直连接堆叠的 DRAM 芯片,增强了数据吞吐能力。底层的缓冲/逻辑芯片为数据传输提供路径。8 x) w/ c. ]& E1 m* s7 o# x
! S0 X7 R* O9 f3 k1 k
2. 微凸点和底填材料
/ I5 w! y0 M/ n: \; |2 _3 a微凸点确保了层间连接的可靠性,非导电薄膜 (NCF) 和热压键合 (TCB) 等创新技术进一步提升了连接效率,减少了缺陷。
$ L3 E- M2 A" d/ K; ?7 e5 s3 P3 I# m( y; ?; Z6 q2 I9 G
3. 先进封装技术# N& h; z  H: q
HBM采用2.5D 硅中介层技术,通过集成高密度堆叠和处理器连接,实现了比传统平面 SoC 更短、更快且更可靠的数据路径。& M8 s4 u! O3 t( v
# s$ u. x" m- c- |3 z- d: c
下图展示了一个针对最大数据吞吐量优化的 HBM 堆叠结构:
& N& H$ D6 S6 V! i/ D' ^

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/ }7 @+ b5 N7 Y3 U6 q! B
图 1:HBM 堆叠结构,展现多层 DRAM 与底层逻辑芯片的集成。) Z; a1 x* t; P0 L, I( d
: ~# n; W8 b8 q' ~
HBM 制造面临的挑战; g+ p& O& W8 z; `! [% \# Y
尽管 HBM 技术优势明显,其生产过程仍然复杂且昂贵。主要挑战包括:
" C4 W# ~$ o; x( g" j+ F# z0 f热和机械应力# n9 V/ {0 q- D0 j1 P
TSV 和微凸点容易因热循环引发分层或金属桥接等问题。. f! N) X* k2 D3 S  k' N, X

. t5 }% w+ m) [0 u7 F. G翘曲问题: b6 {& n: N( U. z; ?
堆叠材料的热膨胀系数差异会导致应力集中,特别是在底层芯片和首层存储芯片之间,以及微凸点连接处。
) Y7 O: i! v2 Y% {6 ?; B- q

# O+ P' E0 J; W& N+ I可靠性测试8 E# E4 C2 [% m$ V: f$ T  ~" L; @# L* E
高温寿命 (HTOL)、无偏湿度应力测试 (uHAST) 等测试用于检测潜在问题并确保长期使用可靠性。" O! Y! C+ F3 T1 R4 W2 ?
* ]! N5 r& u4 l# y+ `) G2 D

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9 d' X& C; O. D5 J( ]7 D  G# A图 2:三星 DRAM 路线图,展示 HBM3E 和 HBM4 技术的进展。
6 [% f2 g/ d( o8 I( n
" m( p. s+ ~, M  g* SHBM 的应用与市场趋势5 v( W8 C1 L. Y$ b( g! c: F) d0 S( s; S( c
HBM 无与伦比的带宽使其成为数据密集型应用的优选技术,例如:
' h9 c' x' P# }. E7 |. q1 w; ]+ \AI 训练与推断
6 L5 u4 F4 q( A5 @6 f大规模 AI 基础设施依赖 HBM 进行实时数据处理和模型优化。: n1 l" w* J0 X7 r
  T. o2 L5 U$ P# p
高性能计算和数据中心; z3 _6 G, }" p! ]$ B. i* r
HBM的高性能使其在成本敏感度较低的场景中表现出色。
( R! y! U" c. t4 Q5 C
5 W, Z$ m& s2 G; Q$ X3 N' m. G
为满足市场需求,HBM 制造商正在引入混合键合技术,以取代 HBM4 的微凸点,进一步提升产量和可靠性。- m* w: g" F$ o* C+ ^, x3 Q
% E* U- H: m& u8 Z
未来发展方向2 T$ Q9 S4 t/ W9 }- `7 t% r
HBM4 的推出标志着存储器技术的重大进步,其关键特性包括:" l+ ~0 x7 z" F! s
堆叠高度增加5 ]$ l0 P0 K0 Z. z
堆叠层数从 8 层提升至 16 层,存储密度显著提高。
) M/ q4 o% Y7 i3 `2 P

' w4 `+ N  }0 F; c# Y更高的带宽
$ f2 i6 J9 Z+ U. r' e4 \传输速率可达 1 TB/s。1 I# E3 U+ o9 X, l
8 X1 A$ [# J4 e+ _% x8 N8 w
集成逻辑功能0 F1 o* |" C8 ^  a; R
将存储控制器集成到底层芯片以提高效率。
; O  e. s8 L9 a1 I; f' I9 f- y9 t
5 E. h' \4 o' T$ c4 p
JEDEC 对 HBM4 标准的定义包括模块厚度、层数和带宽的提升,有助于推动更高效的模块化设计。% Y) b5 p8 i: X: y, \* o' n4 Z: r
) T4 q7 _. a+ I3 z7 t0 g& R( W6 r& K. Z
总结
7 k7 D# J9 N  J6 p! @  m$ T! `随着 AI 技术的发展,对高效、高速存储器的需求将持续增长。HBM 技术通过堆叠、封装和测试的创新不断克服制造挑战,广泛应用于光电子技术、光计算等领域。未来的发展将进一步优化集成和性能,以应对 AI 驱动的工作负载需求。
, q8 M* E) @! ]* J
: X: u0 D; D% Q8 P$ D1 ?6 d$ G参考文献' Y, Y6 L8 s- X. q+ t- I  d' r* i3 j
[1] L. Peters, "HBM Options Increase As AI Demand Soars," SemiEngineering, Nov. 21, 2024. [Online]. Available: https://semiengineering.com/
5 Z; t6 A8 X4 F. O: F/ v
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$ j5 z0 `( [8 ^- c" u' M转载请注明出处,请勿修改内容和删除作者信息!
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关于我们:
) A  V' Y9 p8 ]8 b深圳逍遥科技有限公司(Latitude Design Automation Inc.)是一家专注于半导体芯片设计自动化(EDA)的高科技软件公司。我们自主开发特色工艺芯片设计和仿真软件,提供成熟的设计解决方案如PIC Studio、MEMS Studio和Meta Studio,分别针对光电芯片、微机电系统、超透镜的设计与仿真。我们提供特色工艺的半导体芯片集成电路版图、IP和PDK工程服务,广泛服务于光通讯、光计算、光量子通信和微纳光子器件领域的头部客户。逍遥科技与国内外晶圆代工厂及硅光/MEMS中试线合作,推动特色工艺半导体产业链发展,致力于为客户提供前沿技术与服务。
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http://www.latitudeda.com/
) ]/ E- Q& N, q+ j8 [! S(点击上方名片关注我们,发现更多精彩内容)
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