电路调试供电异常，发现有一颗不该被打开的MOS管打开了

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大家好，我是王工。最近有个项目，板子回来调试时，电路供电异常，排查问题后才发现有个不该被打开的MOS管突然打开了。因为这个电路功能做了兼容，全部讲可能有点麻烦，也不是本文的重点，所以为了看起来更直观，我简化了电路图。
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$ S% H3 h. s% C7 }' E$ z请看下图，问大家一个问题，大家觉得图中的MOS管能打开吗？
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我相信很多人都会回答，这管子肯定无法打开，因为二极管具有单向导电性，可实际上MOS管是打开的了，那它是怎么开的呢？
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我们先来看MOS管的规格书，可知MOS管的Vgs（th）=0.5V（min），也就是栅极提供0.5V的电压时，MOS管就会导通。
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实测VGS电压有0.7V左右的样子，大于Vgs（th），所以管子确认是打开了的，跟设计需求冲突了，电路异常了。

1 `3 z1 }6 p3 v8 R. {那么MOS管是怎么开启的呢？电流只能通过A点进去，也就是电流通过二极管反向漏过去了。
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再看二极管漏电流参数，A点我们提供的是12V电压，图中VR=10V时，漏电流范围为20~80uA。二极管的漏电流在电阻R2上产生了0.7V左右的电压。所以这个问题就出在了二极管的漏电流上，在设计时忽略了二极管的漏电流。可通过更换阈值电压更高的MOS管，或者更换漏电流更小的二极管，确保漏电流不足以开启该MOS管来解决。大家可能会注意到二极管规格书左上角备注有25℃，也就是列表中的参数都是在环境温度为25℃的条件下测试的，如果环境温度升高，MOS管的漏电流将会变的更大。
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尤其是肖特基二极管更要注意，虽然它的反向恢复时间更快，但漏电流比普通二极管都更大。因为肖特基二极管是基于金属与半导体之间的接触势垒，这种结构导致其漏电流相对较高，这是由于其金属-半导体结的特性决定的?。在一些精密测量的场合需要格外注意，不能忽视。
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" E7 t4 E0 b! l' y1 k, R写在最后
都说硬件工程师越老越吃香，这句话也证明硬件也是需要积累的，王工从事硬件多年，也会不定期分享技术好文，感兴趣的同学可以加微信，或后台回复“加群”，管理员拉你加入同行技术交流群。

以下两个电路，是之前技术交流群群友发的，王工做了一个简单的分析，旨在帮助入门或转行的同学理解学习（点击图片直接进入）
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