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氮化镓技术在电力电子领域的发展与市场动态

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发表于 2024-11-25 08:01:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
引言
7 k# n2 b8 V, ?  E( c6 _" b  O氮化镓(GaN)技术的出现显著改变了电力电子领域的格局。本文探讨GaN技术从诞生到当前市场状况的发展历程,重点介绍其技术优势及在不同电压领域的市场渗透情况[1]。$ f  P, f1 Q, O8 F& `+ v5 k
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GaN技术在电力电子领域的革新
7 W4 k- ^7 M6 D随着行业对功率密度和效率要求的不断提高,硅基电力电子器件的局限性日益明显。传统的硅基设计使工程师在系统性能、效率和体积之间难以取得平衡。当提高开关频率以实现更高的功率密度和更小的器件尺寸时,硅基系统会产生更多的功率损耗和热量散失,导致系统效率降低。相反,要实现高效率,硅基器件需要降低开关频率,这又会导致元件体积增大和功率密度降低。
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& D0 I/ u$ F  G2 j/ VGaN作为硅的替代方案具有显著优势,其能隙达到3.4电子伏特(eV),高于碳化硅(SiC)的3.2 eV和硅的1.12 eV。较高的能隙加上优异的电子迁移率和较低的导通电阻,使GaN器件能够在高频和高温环境下实现更高的功率转换效率。此外,GaN优良的热性能使得系统体积可以比硅基方案显著缩小。* u2 O+ ~: }9 u1 F6 c. C- l

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/ u0 J1 J. F2 O( N* v" h/ N图1展示了过去二十年GaN竞争格局的发展,显示了2008年至2023年间不同类型公司进入市场的增长情况。
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图2描绘了2008年至2023年全球GaN功率半导体市场中新进入者的公司类型占比,展示了established corporations(成熟企业)和初创公司的分布情况。
* t" B% Y9 T- n. q9 T6 U9 A& X) O0 X( N7 o8 z- Q: t: _
市场发展与商业成功; h- X/ c, g1 B! D1 I
GaN技术的商业化历程始于2008年,当时International Rectifiers (IR)宣布成功开发出GaN功率晶体管原型。随后在2010年初推出首款GaN产品iP2010。同年,Efficient Power Conversion (EPC)公司推出了面向低压应用(40-200 V)的增强型GaN-on-Si功率晶体管,相比当时的硅基MOSFET展现出更优越的开关性能。
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EPC宣布其晶体管可以在传统CMOS代工厂进行生产,且仅需对制造工艺进行少量修改,这一优势促使更多竞争者进入GaN功率半导体领域。
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. ^% N; I8 z! \& L' h% C( b图3显示了2023年全球GaN功率半导体市场中不同电压产品组合的百分比分布。1 S" }2 S9 Z& [8 ~2 e% v
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电压领域与市场扩张
3 ~7 y4 @: m7 ]GaN市场最初主要针对需要650V产品的高频应用,这些应用中GaN的技术成熟度足以与硅形成有效竞争。近期发展显示,一些公司基于GaN-on-Si横向结构,开始扩展到更高电压领域,包括750V、900V、1200V和1250V等级。$ V1 y" |' p8 Q

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/ {( Y3 y1 E, z  _8 X7 z  K. N图4展示了2021年至2023年间全球前五大公司在不同电压领域的产品发布情况。
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3 P( Z" g6 T8 L  [未来发展与市场增长0 x# i$ C/ Z0 _$ s' K' W; W
自2019年以来,GaN技术市场进入快速增长阶段,这得益于其在功率效率、热性能和体积减小方面的优势得到充分验证。低于650V的产品市场继续保持增长势头,特别是在音频放大器、无线充电器、电子战和医疗设备等应用领域。
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8 @! k% V3 [" I7 I高于650V产品的开发代表着GaN技术的新发展方向,尽管这一领域面临着来自碳化硅(SiC)器件的竞争。要在这一更高功率领域取得成功,市场参与者需要持续投入研发力量,以确立GaN在工业应用中的价值。
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过去十年间,超过20家企业(包括初创公司和成熟企业)进入GaN功率半导体领域。这种多元化参与推动了技术进步和客户合作,促进了设计应用和市场采用的增加。
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参考文献5 p5 G, P9 _* z, V" q# @
[1] M. Di Paolo Emilio (ed.), "GaN Market," in GaN Technology: Materials, Manufacturing, Devices and Design for Power Conversion. Cham: Springer Nature Switzerland AG, 2024, ch. 9, pp. 361-364.' ~* O5 R8 L5 P* z
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END
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