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发表于 2024-8-19 21:00:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1 PCB(印刷电路板)
6 g  P1 R; V4 H5 T0 O1 [6 T0 C0 W由于技术原因,最好使用多层PCB的单独一层专用于接地(VSS),另一层专用于VDD供电。这提供了不错的去耦和屏蔽效果。对于很多应用,由于经济原因不能使用此类板。在这种情况下,主要要求就是要确保接地和供电有良好的结构。
$ M* V, `/ Y4 l2 元件位置 PCB的初始布局必须将电路分为不同模块: ? 高电流电路 ? 低电压电路 ? 数字元件电路 ? 根据电路的EMI影响分离电路,以降低因 PCB 上的交叉耦合产生的噪音
3 ?' K0 H: u/ X- a+ w3 接地和供电 必须遵守与接地相关的以下规则: ? 使每个块(噪声、低电平敏感、数字或其他)单独接地。? 将所有接地返回为一个点。 ? 避免出现环路(或确保其具有最小面积)。为提高模拟性能,用户必须对VDD和VDDA使用单独的电源,将去耦电容放置在离器件尽可能近的位置。供电(VSS、VDD、VSSA、VDDA、VDDUSB、VDDIO2或 VDDSMPS)必须靠近地线实现,以最小化供电环的面积。这是因为供电环起到了天线及EM主发收的作用。所有无元件的PCB区域都必须填充额外的接地,以创造屏蔽环境. @8 }) @) c! z5 ?
(尤其是当使用单层PCB时)。 9 ^% ?% S; w# p& H' Z- S  A- [
4 去耦 所有供电和接地引脚都必须适当连至供电电源。这些连接(包括焊盘、线和过孔)都必须有尽可能低的阻抗。典型情况下,这可通过使用粗的线宽做到,最好在多层PCB中使用专用供电层。此外,每个供电电源对都必须使用滤波陶瓷电容(100nF)及约10μF 的钽电容或陶瓷电容去耦,两个电容并联在器件上。在某些封装中,多个VDD引脚使用同一个VSS引脚,而不是一对电源引脚(每个VDD对应一个VSS)。这种情; Y/ v9 V  e. _) A0 P
况下,电容必须处于每个VDD引脚和公共VSS引脚之间。这些电容必须放置在PCB 尽可能接近适当引脚的位5 [7 @2 I/ L7 h# b
置,或在这些引脚下面 PCB 的底层。其典型值为10至100nF,但准确值取决于应用需要。    下图显示了这种VDD/VSS引脚对的典型布局。
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2 @7 @: }( u% X3 F$ g0 P0 ]5 其它信号 当设计应用时,可通过仔细研究以下几点来提高emc性能:? 临时扰动会永久影响运行过程的信号(中断和握手选通信号就是这个情况,但LED指令不是这个情况)
' E' ^; Y9 P: @1 i对于这些信号,可使用周围接地跟踪、更短的长度、无噪声、附近敏感跟踪(串扰影响)提高EMC性能。对于数字信号,两个逻辑状态必须达到可能的最佳电气边界。建议使用慢速施密特触发器消除寄生状态。? 噪声信号(例如:时钟) ? 敏感信号(例如:高阻) / |6 c# n2 x- ~3 s
6 不使用的 I/O 和特性 所有微控制器都是为多种应用设计的,通常一个应用不会使用100 %的MCU资源。为了提高EMC性能和避免额外功耗,器件不使用的功能必须禁用且与时钟树断开连接,如下:? 不使用的时钟源必须禁用。? 不使用的I/O不得浮空。? 不使用的I/O引脚必须由软件配置为模拟输入,且必须通过外部或内部上拉或下拉连接到固定逻辑电平0或1,或使用软件配置为输出模式。$ u* H, e/ l) ~! b; ~
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往期回顾:Keil中变量不被初始化方法/ n" d* O. C( y* R+ k: [2 \
如何提高单片机的运算效率之FPU. M- S0 q" B& ^  Y4 r
蓝桥杯物联网教程汇总_240529/ @! i- {8 e! ~7 t* @$ L
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