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防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路

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发表于 2024-9-9 08:03:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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! I% ~6 s! f$ a' G
点击上方名片关注了解更多5 f6 H1 Z% g2 S; ^; G! [9 r. S- f: [  t
) [2 W2 t: z: H6 [2 |
! ]! l  G! y6 Q9 S
防反接电路# C) K  h# A( y, E2 h9 V
常见的措施:+ D. w. G+ C' c3 i# p7 q
1.通过机械结构的设计 让接线端子 正确接入时能匹配上,不正确时 匹配不上
. W1 g/ @5 k8 w5 P2.通过线的颜色做区分
0 z9 `2 ]% R& [0 g0 g1 d3.通过电路的设计
! u1 a3 ^- J8 J  c  L9 F$ e( V
+ n7 S% i0 n) z" _防反接电路汇总:
2 s# v& s6 U9 O* z8 p4 t5 [
典型电路类型:8 J5 ?. Q3 n* T% s/ r6 G
1.二极管防反接(不常用)
1 _; i3 n) c) r二极管有 0.7的导通压降 如果有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。(一般选用 肖特基二极管导通压降比较低  也要考虑反向电压)
' y1 i( ~0 |2 v& a( B0 l8 c

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# j& h; t/ j1 ?* [8 }
9 ^+ F, R# e' _+ w( j) S" O, y1 W% X% T! V/ R2 E
2.保险丝和二极管(稳压二极管)防反接( U5 Q7 [2 ^, }# w
二极管并联到电路中。二极管要考虑导通电流和反向耐压等参数# A; {6 j- l( K' W

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  c& c3 H2 m0 g+ _' r$ _+ Y/ m! b& }9 f
3.桥式整流电路看好电路图的 电源和负载的两端接哪% I+ ]7 F/ H$ U6 m3 @: w2 C- N

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4 }7 K' b- z1 l+ J7 U
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4.MOS管防反接(用得比较多的一种)PMOS:; a" g; h. ?$ s- a
在 PMOS 管防反接电路中,栅极那边的两个电阻主要起到限流和保护的作用。
5 @* b) a7 I, E1 `- G) p
5 B1 K7 Q* y+ v, w$ f这些电阻的阻值通常根据具体的电路设计要求来选择,一般需要根据 PMOS 管的特性和工作电压来确定。( H$ _( v# C, ?! d- h9 e+ v
旁边的二极管是一个稳压保护二极管 为了保护GS之间的电压不会过高从而损坏二极管
: l' R& B# ?" _: a/ ]8 l/ A) n! l8 b8 N8 V5 Y6 c& ?6 W
在电路分析中 pmos导通和体二极管无关。mos的源漏是相对的。对pmos,电压高的是s,低的是d。正常上电时,3脚电压高,所以这时3脚是s,g比s低,所以管子导通(图中的D S应该反过来)。
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' r  S% k: m% lNMOS
0 ?% D, s$ o( H7 a" c% |3 ~6 b7 XNMOS 如果 正接 Vg=2V Vs=0V 所以 DS导通 形成回路
, c7 A' x) h) _% p. |9 f                 反接  Vg=0   Vs=5V  所以DS不导通  形成不了回路$ |( h; K9 `# c* }# t/ L9 u

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" t- z5 E$ G, j/ H) P7 b4 V
* {' h5 E+ ^. t' B7 w* a
防倒灌电路0 H0 D3 }8 g7 h" ^( m9 ^0 B$ ]
什么是倒灌?
! I: w: ?  Q4 B) e3 K. I7 c1.开关电源给负载供电, 如果负载是电池或者其他感性负载(比如像 电机 有线圈 当电源突然断掉时 会产生感应电动势)时, 当220V断掉的时候,可能会出现 电池反向给开关电源 的 输出端 供电,导致开关电源的一些莫名损坏。9 P6 X( ~$ W, G  i0 J& A+ p
2.系统在不同的 输出电压 之间 切换时,会存在高压电压倒灌到低压电压源中。关注@电路一点通
- B, v% r6 W- r2 r例如:系统 有两个电源供电 比如 一个电池 一个 充电器 充电器的电压一般会高于电池 如果没有防倒灌的电路 可能充电器的电压会直接倒灌给电池 造成电池的损坏。$ u& v0 r  q0 |5 p

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4 J, e/ j1 N# y# ]
1.二极管串联防倒灌电路:
. ?. I: Y' ]5 t 该电路  二极管选型要 选取电源 额定输出电流的(5-10)倍 并且可以加 散热片。+ N* P) ^. e4 d5 ]

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, R4 }$ j3 b! I' o) P

6 |7 d" P: g$ @2.双MOS组成的防倒灌电路0 Z3 J3 j5 d1 C
电路分析:7 t# p# g8 _8 z1 M+ r* O
正常情况下(无电流倒灌)  ON/OFF接口可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制,
- ?  q) _  ^# l! n6 Z所以这次就以 VIN的有无 来控制  VIN输入电压到三极管,三极管导通(基极电压大于发射极),由于三极管下连的是地,所以 PMOS管的栅极电压为0, Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。4 a+ W0 Y; v( t

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4 t' `; F7 m8 d2 L

9 \1 N9 A/ ^8 `% X$ S当输入电压突然没有的时候, Vin没有 所以 三极管Vb=0  Vbe
" l, h; D# m+ I; w9 s6 `

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  N+ Z# Y4 \+ M; d) ?/ m
: P( @. ^2 o. N6 h  N( J. C1 f
3.双MOS组成电源自动切换电路(前提 VCC>电池电压)/ d4 w. H8 ?; z+ s+ h- J/ |
Bat Charge 为电池电压
# l7 P' j& S( Z1 t5 N( L- ~& X' |VCC为系统电压5 J: T6 R" K/ O0 a* c3 l
当只用电池电压供电时:$ ?, q- g. j9 C4 J: P5 R
MOS管Q9 栅极g为0V  源极S Vs=V电池 Vgs=-V电池 PMOS导通 Q9导通了 Q10也导通了 ,然后给到 单片机VCC_mcu。/ n6 J6 ]7 Q9 u6 m1 l5 W& u% B* X' Y
只有VCC时:1 R8 v9 E7 _- W2 g- [; k  t% v
通过LDO Vout 通过二极管给到MCU进行供电   Q9和Q10的G都是Vout的电压 所以不导通。VCC_MCU=Vout-二极管的压降关注@电路一点通
4 n. l; a, `7 @% v6 c当VCC和电池同时供电时:9 @' c  Z5 _8 V$ Q
Q9栅极电压为VCC  对于MOS管 Vgs=Vout-V电池  所以MOS管不导通, Q10 g极 Vg=Vout  Vs=Vout-V二极管   Vgs>0 所以也截止 。
5 S4 Z. J& n1 ^4 v. s; l

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/ t% ~! u' L  p7 ~4 u4.双三极管镜像电路防倒灌! U/ o2 G2 g4 x
Vin 经过三极管 由于是PNP三极管  Vb连接地=0V Ve=Vin 所以三极管Q6导通  导通之后就会有管压降 所以 Vb的电压=Vin-0.6V   Q7 Ve=Vout-0.6V 需要满足 Ve>Vb 三极管Q7才会导通 但Vout会大于Vin  所以会是截止的。
% [# X% D8 N3 t. l$ M正常工作时 Q5 Q6导通 Q7不导通 , 当出现倒灌时 Q5 Q6不导通 Q7导通  
! p  k" }$ x$ I: s1 d  O6 S

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* K8 f5 W3 O$ e0 q- a: D
过流保护7 t& J7 l, I! X1 [
ESP:静电放电(一般在芯片内部电路)9 v: J4 A. j2 q9 }3 R* q+ p
ESD相关概念及模型8 c0 V3 l3 b2 q

( K7 i4 w  E( p! F) I3 ?. t

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/ R$ }7 J' U0 O# y# W
% U) }, X1 C" I6 P2 J人体放电:人体带的电荷  然后触碰芯片管脚, 芯片其他管脚正好有个接了地 产生电流 损坏芯片
4 |! O& W& q2 F/ L9 e机器放电模式:机器触碰芯片的时候,  带电金属体 触碰芯片0 r2 C2 Q7 @% ^  g8 m# O0 M
元件充电:芯片可能在搬运啥的过程中  本身 被充电了 当夹具夹住的时候可能就通过夹具释放出来了" T4 F6 F0 j. [2 U# ^' e2 @

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7 [) ?6 O8 u# s7 {7 s3 ]5 \  s
3 m- @4 z% x  y: eESD保护概念
0 |4 _- b& Z0 ?) a9 O3 W在芯片内部 提供ESD的电流路径 以免ESD放电的时候 静电电流流入芯片内部对芯片造成伤害 从而保护电路7 N/ ]" M( W! O* A* M
下图 PAD可以当做芯片引脚 如果没加保护电路, 以人体放电为例,手碰到了 PAD1 PAD2接地 电流直接沿着紫色虚线的方向走从PAD1到PAD2,直接烧毁芯片。9 t/ y2 g9 P+ Q' N# {& b
蓝色的这些都是ESD保护 这些电路能在发生ESD的时候 能瞬间导通 把电流引导出去 且是可逆的 不会被静电所损伤
0 Z9 W7 v5 `4 z" I3 b* m. j1 c1 t. X# A# v$ l2 T" `

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4 O0 R, V0 R( w; z! |
1 g' O+ T/ ]7 t1 P/ ]9 Y
ESD保护示例
$ y& t/ J% k9 |, T0 [
3 H5 `7 L: R, ^! d利用二极管(齐纳二极管)的正向导通和反向击穿特性可实现最基础的ESD保护电路
# B- p$ ~# M1 `  N* T/ ^如果来了ESD PAD1和PAD3形成回路 7 P4 O4 \7 [7 y' f2 T# j6 N8 F
' A) e7 t. H) W/ m

! z% A7 X' N9 c/ p' G! H! o, B% e  E% m; Q! c7 l2 Q
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# V: u' h. D& I. {  x. F
声明:
/ @7 I% \) V9 y5 s声明:文章来源网络。本号对所有原创、转载文章的陈述与观点均保持中立,推送文章仅供读者学习和交流。文章、图片等版权归原作者享有,如有侵权,联系删除。投稿/招聘/推广/宣传/技术咨询 请加微信:woniu26a推荐阅读▼
6 @6 x' h+ C, p/ m6 b. g电路设计-电路分析; Y& H6 Y. w! H% P6 V+ H9 _
emc相关文章$ w; }+ v7 ^7 G, J0 O
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