鲁永哲-SD,SIM模块作业

lll222

1. 有esd器件时esd器件靠近接口处，走线先经过esd器件。
2. sd卡单端阻抗50欧姆
3. 信号线走同一层，空间允许情况下进行包地处理，其次进行整体包地，信号线之间遵循3w原则
4. 时钟线进行单独包地
5. sd组内数据线误差尽可能小400mil内，整体走线不易过长
6. sd以时钟线为基准，数据线进行等长处理，误差在300mil内

凡亿刘老师

没问题。