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描述 MS5510 是 8 比特，20MSPS 模数转换器（ADCs）,同时使用一个半闪速结构。MS5510在 5V 的电源电压下工作，其典型功耗只有 130mW，包括一个内部的采样保持电路，具有高阻抗方式的并行输出口以及内部基准电阻。 与闪速转换器（flash converters）相比，半闪速结构减少了功耗和晶片尺寸。通过在 2步过程（2-step process）中实现转换，可以大大减少比较器的数目。转换数据等待时间为 2.5个时钟。 MS5510 有两种工作模式。模式一使用 3 个内部基准电阻连接 VDDA 可产生标准的 2V 满度转换范围。为了实现此选项仅需外部跳线器。模式二通过内部电阻区产生标准的 4V 满度转换范围。这减少了对外部基准或电阻器的需求。差分线性度在 25℃温度下为 0.5LSB，在整个工作温度范围内的最大值是 0.75LSB。用差分增益 1%和差分相位为 0.7%可以规定动态特性范围。 MS5510 的工作温度-45℃至 85℃。 特点 模拟信号输入范围： -模式一…2V MAX -模式二…4V MAX 8 比特分辨率 积分线性误差 ±0.75 LSB（25℃） ±1 LSB（-20℃-75℃） 微分线性误差 ±0.5 LSB（25°C） ±0.75 LSB（-20℃-75℃） 最快转换频率 20MSPS 5V 单电源工作 低功耗 模式一…127.5mW 模式二…150mW 应用 数字电视 多媒体图像处理 视频会议 高速数据转换 正交调制解调器 MS5510完美替代TLC5510 管脚图 
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2 J" y, p7 K# v0 E( Z6 _管脚说明图
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8 u C: ~ Y: Y) l3 f结构框图 
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" C8 i6 ? V7 M! ~: u' Z工作原理 MS5510 是具有两个低位比较器块的半闪速（semiflash）ADC（每四位一个比较器）。如图 3 所示，输入电压 VI(1)在 CLK1 的下降沿采样入高位比较器块和低位比较器块(A），S(I)。高位比较器块在 CLK2 上升沿确定高位数据 UD(1)，同时，低基准电压（lower referencevoltage）产生与高位数据相对应的电压 RV(1)。低位比较器块(A)在 CLK3 上升沿确定低位数据 LD(1)。VD(1)和 LD(1)在 CLK4 的上升沿组合在一起并输出为 OUT(1)。根据上面所述的内部操作，输出数据滞后模拟输入电压采样点 2.5 个时钟。输入电压 VI(2)在 CLK2 下降沿被采样，UD(2)在 CLK3 的上升沿最后确定，LD(2)在 CLK4 的上升沿被低位比较器块(B)最后确定。OUT(2)在 CLK5 上升沿输出。  ! Q3 P0 U6 l5 c2 _
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内部基准 工作模式一 MS5510 具有三个内部电阻以便能产生内部基准电压。这些电阻连接到 VDDA，REFTS，REFT，REFB，REFBS 以及 AGND。要使用内部产生的基准电压，应当如图 4 所示那样进行连接。这种连接提供用于额定数字输出的标准视频 2V 基准。 工作模式二 模拟输入电压范围为 4V，REFT 接 4V 电压，REFB 接地，其它端口如图所示连接。这种连接通过输入一个 0 到 4V 的 ANALOG IN 信号来提供数字输出。
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; W3 `6 d* z8 g8 L9 j应用资料 以下注记是应当与 MS5510 一起使用的设计推荐项。 � 为了减少系统噪声，外部模拟和数字电路应当实际上分离开来并尽可能屏蔽。 � 在整个评估和生产过程中应当使用射频 （RF）试验板或印制电路板 （PCB）技术。 用于测试评估（bench evaluation）的试验板应当镀铜。 � 因为 AGND 和 DGND 在内部未连接，所以这些引脚需要在外部连接。采用试验板时，这些地线应当通过具有良好电源旁路的单独引线连接。为了使拾取的噪声为最小，最好把隔开的双铰线电缆（separate twisted-pair cabels）用于电源线。在印制电路板布局上应用使用模拟和数字地平面。 � VDD 至 AGND 和 VDDD 至 DGND 应当分别用 1μF 电容器去耦，去耦电容应当尽可能靠近它所影响的器件引脚处。对 0.01μF 电容，推荐使用陶瓷芯片电容器。对模拟和数字地，为了确保无固态噪声（solid noise-free）的接地连接，试验时应当小心。 � VDD，AGND 以及 ANALOG IN 引脚应当与高频引脚 CLK 和 D0-D7 隔离开来。当可能时，在印制电路板上 AGND 走线应当放在 ANALOG IN 走线的两侧以供屏蔽之用。 � 在测试与使用器件时，在感兴趣的频率范围内连接到模拟输入端的驱动源电阻应当是10Ω或更小的数值。 4 t7 j M% b& ]8 |' B- F& V8 g( U
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