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1、 定义 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可经 SD 卡转换器后，当 SD 卡使用。 TF 卡产品2 p& Z# H& `- E( q- ?- o
采用 SD 架构设计而成， SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD ， 已成为 SD 产品中的一员 。
g7 \" Y: }2 ]' WSD 卡： Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一
3 ?, k; y' l, V5 X( [4 Q b' X" c代记忆设备。 & W) [: y* R4 r5 L2 z6 L' F
* A* ^3 g x: G: W9 n: t4 c2 VCLK:时钟信号。
: P' @3 ]- M0 Z5 v2 PCMD:双向命令和响应信号。
8 Y s" @( i* N" e6 S5 H S CDAT0-3:双向数据信号。$ k' Z1 f \0 V* Q) L7 g0 p6 `
VDD、 VSS:电源和地信号。5 M& ?+ ~3 l; }: o+ }) \; ^
CD：卡检测。: ?: r; k8 I# u9 a J
r) f3 \2 o; c! L0 Z* P( P" X
2、阻抗控制要求
2 E) U* \! T# `0 J1 g) K- S单端阻抗控制在50欧姆。
- i+ E- O! P# J! {( |$ V# d O* c" _3、 走线要求& Q; ~/ m2 f$ I2 G# Y3 Q8 o
所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面，尽量避免夸分割的情况出现，/ K4 [ Z. o: v! ?7 W7 X, s2 C
特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长，误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下，采取包地处理。如果做不到，尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔，缩短回流路径。电源和地走线加宽，请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距，不能太近，预防连锡。（ 1.5mm 适宜）$ U+ [, N* P, ?! h9 I
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