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1、 定义 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可经 SD 卡转换器后，当 SD 卡使用。 TF 卡产品
" @' J; H6 c6 y% a' r采用 SD 架构设计而成， SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD ， 已成为 SD 产品中的一员 。) P- l* |( ^* u3 a
SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一
" M, v, h! Q& g代记忆设备。
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- c4 P! z5 _ y# z- FCLK:时钟信号。0 D* r! Y( I8 q( ]2 k8 g
CMD:双向命令和响应信号。
! }. u, d- ~9 C+ q: Q* |1 [5 DDAT0-3:双向数据信号。$ y( I8 J% H4 w
VDD、 VSS:电源和地信号。% i9 d6 @& a- o" F `3 b
CD：卡检测。" x+ w& t1 h [# G! l) P
, C9 A* D. U0 t2、阻抗控制要求
2 M9 _: g2 I# }7 p单端阻抗控制在50欧姆。% w* A! g& J1 E9 U0 Q9 u& m, U
3、 走线要求/ h7 R Y9 J. U6 C$ e
所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面，尽量避免夸分割的情况出现，
$ r2 H8 K/ D' C" A/ @2 }1 u, p4 V. e0 t特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长，误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下，采取包地处理。如果做不到，尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔，缩短回流路径。电源和地走线加宽，请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距，不能太近，预防连锡。（ 1.5mm 适宜）0 q. j1 Z3 d7 Q* S; f6 P
$ s$ P/ A: P J: E" ~; w8 e' [8 z/ R W: C w( [6 Y5 {
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