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如何建立IBIS模型和使用IBIS模型

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发表于 2019-9-18 15:35:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
    如何建立IBIS模型/ k1 ^4 y3 p8 T
5 z* D6 e0 ~, C! r/ x9 |( @9 R
    IBIS模型可以通过仿真器件的SPICE模型来获得,也可以用直接测量的方法来获得。作为最终用户,最常见的方法是到半导体制造厂商的网站上去下载各种元器件的IBIS模型,在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。- U* a! ~4 v% S0 B* b' o% S
  |- {9 Z' b% A% v7 \, S& U
    建立一个元器件的IBIS模型需要以下5个步骤。
6 h4 c+ g8 C5 x' b
& l  w! A& I$ T5 u/ g% H3 C    (1)进行建立模型前的准备工作,包括决定模型的复杂程度;
* C; H+ D. ~# T: _! @
" i$ c5 w) @5 G6 O- r0 [! S5 S; V' v    根据模型所要表现的内容和元器件工作的环境,来确定电压和温度范围,以及制程限制等因素;获取元器件相关信息,如电气特性及引脚分布;元器件的应用信息。
4 o; t" S1 u5 |$ g; {3 Z
, i- N( J# t: d" P% _    (2)获得U-I曲线或上升/T降曲线的数据,可以通过直接测量或仿真得到。
4 u# Z' |. |; G7 N: p7 A5 r+ K( @* D* v8 e* m8 I& [
    (3)将得到的数据写入IBIS模型。不同的数据在各自相应的关键字后列出,要注意满足IBIS的语法要求。6 x9 x$ m% v9 h* n

! t& G) c/ L1 ^3 u% G4 x6 M    (4)初步建立了模型后,应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的U-I曲线,并检查模型的语法是否正确。如果模型是通过仿真得到的,应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真,比较其结果,以检验模型的正确性。
, ~$ W1 w! s) y, C- d- L6 T! A" ~* T. T( {
    (5)得到了实际的元器件后,或者模型是由测量得到的,要对模型的输出波形和测量的波形进行比较。
9 z5 H1 Y* f. ~5 Q7 K# W# v0 ~
" H4 N) s" A3 j: m( K, [4 W% I    如何使用使用IBIS模型
; {0 V. k' [7 ^8 D; v/ s9 n2 `9 `2 D; u4 `
    IBIS模型主要用于板级系统或多板信号的信号完整性分析。可以用IBIS模型分析的信号完整性问题包括:串扰、反射、振铃、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析等。IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确、精细的仿真,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,以及一些用物理测试无法解决的问题。在使用时,用户用PCB的数据库来生成PCB上的连线的传输线模型,然后将IBIS模型赋给PCB上相应的驱动端或接收端,就: @7 y. ^/ }& u3 V. T: _
. }, C; ^* y2 ~$ O! H# r
    可以进行仿真了。* J5 s+ r: v. x! F. p- y3 Z# _* l- v
" b+ N3 K$ Q7 i+ T) w& D& {# n
    虽然IBIS模型有很多的优点,但也存在一些不足。目前,仍有许多厂商缺乏对IBIS模型的支持。而缺乏IBIS模型,IBIS仿真工具就无法工作。虽然IBIS文件可以手工创建或通过SPICE模型来转换,但若无法从厂家得到最小上升时间参数,则任何转换工具都无能为力。
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    另外,IBIS还缺乏对地弹噪声的建模能力。
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