第四次课重难点

小飞哥玩嵌入式

三八节快乐
今天是"三八"国际女生节,在这里祝公众号里所有的女生们节日快乐!(??? ?????)
今晚女生的特权是可以不写作业 ●’?’● 不过沙发是可以抢一抢的哦。^_^

a12yybs5xd264027451633.jpg

这次课重点就是讲解晶体三极管的伏安特性曲线。

ftdnxwfp4xk64027451733.jpg

重点1
理解输入特性曲线 iB=f(vBE)|vCE=常数

3rggjz0vhws64027451833.png

定义
    输入特性曲线是指VCE为某一常数时，输入iB和vBE之间的关系


特点
    当vCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着vCE的增大，输入特性曲线右移；继续增大vCE，输入特性曲线右移很少。
    工程上，常用VCE=1时的输入特性曲线近似代替VCE>1时的输入特性曲线簇。

gs0iskdirjp64027451933.jpg

重点2
理解输出特性曲线IC=f(vCE)|iB=常数

定义
    输出特性曲线描述基极电流为一常量时，集电极电流与管压降vCE之间的函数关系。

放大区
    发射结正偏，集电结反偏。其特点是VBE近似等于0.7V（或0.2V），IB和IC成线性关系。这时iC几乎仅决定于iB,而与vCE几乎无关，表现出iB对iC的控制作用

饱和区
发射结正偏，集电结正偏，或反偏很小。IC不再随IB做线性变化，出现发射极发射有余，集电极收集不足的现象。这个区域的iC不仅与iB有关，而且明显随vCE增大而增大。


截止区
    发射结反偏，集电结反偏。发射区不能发射自由电子，IB，IC都近似为零。

xf11rvnmkm064027452033.jpg

    具体可以看个视频：



难点
判断三极管工作在饱和区还是放大区

sidmrrhgjcw64027452133.jpg

bam2akyyuaj64027452233.jpg

    上课时感觉大家对电流矛盾的判断方法不是很理解，这里把集电极饱和电流Ics的定义再显示一下。
以下图a电路为例说明：

ohx3iqvuyw164027452333.png

    由输出回路可得：VCE=15-IC*3k，这是一条直线方程，画到三极管的输出特性曲线中称为负载线，这条负载线说明了这个电路中的电流Ic和Vce之间的关系。

ref5vjonzcf64027452433.jpg

    饱和点就是指负载线与集电极在饱和区特性曲线的交点。饱和点表示的是电路可能的最大集电极电流。求解饱和点电流的方法就是将集电极到发射极之间的电压VCE看成VCES或是零，从而得到Ics。
    因此可以看出放大情况下饱和电流是大于放大的集电极电流的。

02errixbr4w64027452533.gif

    今天感觉都是在讲理论，能考查的例题在上课时讲过了，所以就不多啰嗦。直接上抢答题喽。这回全是概念题，准备好没？出发！

uqsj2rowadf64027452633.gif

P.S.:今天除重难点推送外，还有第一周的作业答案哦，需要的同学可以自取。