第九次课重难点

小飞哥玩嵌入式

今天首次使用“测验加签到”的模式，不知小伙伴们感觉如何?后台数据表明,到课率还可以,不过测试成绩有些难看，两个班都没超过及格线ε(┬┬﹏┬┬)3.

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据不完全统计，没考好的同学大多都是看推送不积极的。所以周三、周五晚上十点，定好学习模电的小闹钟吧。(?￣??￣??）

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回归今天主题：这次课我们终于从三极管的“魔爪”中暂时挣脱出来，开始学习晶体管家族的另一个新成员——场效应晶体管。有同学对电子管和晶体管的历史感兴趣的，可以超链接到原来的小电科普系列：“小电科普/电子管的前世今生”和“小电科普/晶体管的诞生记”。

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晶体三极管全称叫作双极性结型晶体管（Bipolar Junction Transistor），简称BJT，它的工作是依赖两种载流子：自由电子和空穴。
    场效应晶体管（ Field Effect Transistor），简称FET，它的工作只需要一种载流子参与导电，所以它是单极型的。FET中只有多子而没有少子，也正因为没有少子，FET在截止时没有存储电荷需要从结区消散，从而关断速度更快，因此FET在大部分开关电路中性能更好。

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1
结型场效应管的结构

N沟道结型场效应管是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。     P沟道JFET则是在P型半导体基片两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个P型沟道的结构。

2

结型场效应管的工作原理

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栅源电压对沟道的控制作用

    当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。
    当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。
    当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP。


b


漏源电压对沟道的控制作用
    若漏源电压VDS从零开始增加，则靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。
当VDS增加到使VGD=VGS—VDS=VP，即VDS=VGS-VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。
    当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。

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结型场效应三极管的特性曲线

结型场效应三极管的特性曲线有两条，一是曲线输出特性曲线，二是转移特性。

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由此可知：
    N沟道JFET的工作条件是VP，VDS>0，这里VP。
    P沟道JFET正好相反，工作条件是：0=，VDS，这里VP>0。


抢答啦

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上图是哪种类型管子的输出特性曲线？