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电路的环路怎样才算小?如何定量判断?

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发表于 2024-12-10 07:30:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
在硬件电路的设计过程中,老工程师们经常意味深长地提醒新手们:
) ?( Y7 w, T5 j/ _, p' e“你这个环路绕得太大”
" [  i- s" V% N& E& D“你这个电感不能这么放,走线绕远了”  }5 `, @4 O0 P5 J% P! k/ Z
“PCB走线要尽量控制环路面积”,
' g8 ^& P# P( z6 ^; g7 G  Y+ N4 ]硬件设计要减小环路”,- v. E$ S/ ]8 g' T- r$ Y
……诸如此类,可是不晓得新手们到底是否理解环路怎样才算小,小到多少才算小?今天我们就一起来探讨下这个。
+ G3 r3 [+ N& M- P$ k- j; `  C
( w& X* u6 R, d9 w& K  K4 v
, L2 E: F( X( J  p0 z2 [4 N2 S% m: v& o& t8 U$ i
一道问题" x( R% j* ?+ N# v$ Z0 K

, D0 }$ ^; t/ {2 E/ n照例,我们先抛出来一道问题:硬件电路的环路,怎样才算小?如何定义这个小,有定量的计算吗?+ Z0 C; D% Z& Y7 u& v; V

  T$ w; a7 ~) [0 v* {  [
0 e3 C7 l3 S) D, p# s4 q哪些环路需要关注?
% w) {' p+ M$ t( V2 M3 y# X5 W9 h( a
一个电路里面可以包含有多个环路,大小不一的环路。$ j1 o0 q) p' n, z
比如在之前有提到过的由退耦电容构造成的输入环路,如下图所示:4 n+ T3 s1 x' }, t, ?, m

  `6 @7 `$ i6 w* g7 q5 H' H
" k" b+ w4 N' M& O" Y

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# e7 U& L' U# F; B4 ]& x" H5 {) E* u9 ?- y1 {% q
比如之前在讲Buck电路时有提到过FCCM模式的4种电流回路,如下图所示,是由于电路在不同工作状态下开关器件动作构造出的不同环路。
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' Z9 ]8 ~. g: R2 w9 H7 G7 p) h! a3 ?* B8 t9 j! E
由此看来,电流环路可谓是五花八门,多种多样。怎么办?我们需要都关注吗?
# Y1 F1 R( o3 ]- @4 `, n4 b+ S答案是不需要!我们只需要关注那些具有高dV/dt,高di/dt的环路。而那些仅仅是直流或者变化率很低的环路,优先级可以适当往后放一放。
. P/ ~, w! I3 o: G7 Q8 T; P: U; H6 E6 E因为具备高dV/dt,高di/dt的环路,其内部的交流分量、谐波分量往往很多。从emc三要素的维度来考虑,这种环路就是三要素中的干扰源,需要给予“重点关注和特殊照顾”。
+ ]' }6 e9 u4 b3 N
3 H! Q5 V7 A1 f+ n2 R4 E2 i9 Z0 A( q) x. d5 u. w3 h
如何关注和照顾?
5 y4 \( b$ j! M- Z: A9 v4 n- e6 s& i7 w( e5 w
这里说的“关注和照顾”,就是文章开头老工程师提到的“PCB走线要尽量控制环路面积”、“硬件设计要减小环路”,还有“回流要顺畅”、“回流路径要尽量短”、“参考层要完整”……这些,不是本次要讨论的重点,具体不做展开。
, N' i' h+ |# ?$ [
, T0 V1 P7 p! b2 E+ t6 T: l0 l) |/ R$ F" ]1 K2 g& D; ^
怎么才算照顾到位?! e0 \7 ?; R9 X

- R. q0 y- m2 |& p照顾到位”,也就是老工程师口中提到的环路要小的“环路小到位”,如何定量衡量?这个问题,不晓得屏幕前的你是否考虑过、研究过。) `- L; X$ @. K  H" l" `+ C
可能有的同学会说:要结合具体的电路设计,比如一个Buck电源,需要结合器件封装、PCB尺寸、器件布局、电流大小等要素来确定器件布局,以达到器件之间的“紧耦合”,让环路尽可能小。很难去定义怎么才算小。
% a$ ]9 i1 i5 c" f好的 ,那既然不好定义如何算小,那我们换个思路,如果判断这个环路是否太大,有没有一个限值呢?恐怕这个问题,也很难回答。今天二火从EMC的维度来探讨下。
$ @1 `7 q2 k. t( e在之前的文章中有提到,在自由空间中,环路辐射强度的公式:0 u. ?4 K- o, F* A; X; y9 I3 @" h

) O& t2 B: R  u5 N# Q

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% Y) y+ q+ W9 n2 f1 ~1 N5 D; k% r  s5 g8 F( w: n' M7 g0 c
E是电场强度,S是环路面积,I是电流,f是频率,d是和环路之间的距离。由此可以看出,环路面积S越大,空间辐射强度E就越大。所以,前面提到的尽量控制/减小环路面积是有道理的。" c0 F/ a1 j/ H; H" L6 ?( |
但是这个公式是以自由空间为讨论的前提,在现实世界中,我们绝大部分的电子产品都是在地平面上工作的,大地类似一个镜子,提供了一个反射面,这个反射面增大了可以测到的辐射量,大概是2倍的样子,我们对这个公式的系数稍作调整:
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, h0 o# Q2 P5 Z0 j. H' C& x

. _6 P/ ^) k; n* {有了这个公式,我们再稍作变换:3 o' Y/ W1 {4 J3 b% H; T& r6 C

3 X/ F6 o3 e0 m: V7 D

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( J" t6 g& t# A; o1 d* k1 m
  C4 G( R& X: g' H+ p把环路面积S单独挪到左侧,这样我们就得到了关于环路面积的求解公式。我们分析下上面的式子,E是电场强度,单位是V/m,d是距离,单位是m,I是环路电流,单位是A,f是频率,单位是Hz。" K5 O4 @, h0 y' @8 h1 ~( W
回想下,我们在做EMC实验室做测试时,好像上面E,d,f这三个数值都有,只有I和S不知道。在CISPR25标准中,清楚地写到各个频率f段内的电场强度E的限制,实验室环境搭建中明确了天线距离待测物的距离d。6 F9 _% |  b+ Q5 z6 E
- ^0 A6 b% I0 _/ ^+ P' C
: f4 v# Z) }7 Y7 o

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3 i' f; n* e; T
: H' P! m+ Y) L如上图红框所示,辐射骚扰测试(ALSE法)中Class3中,明确要求在30MHz时,E的PK限值为52dBuV/m。& k7 I' x- c& P, ~) ]( L* @2 O

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' l$ F& f% s) o, ]! D! M; O8 W

8 y4 O' G- E$ s如上图红框,辐射骚扰测试时天线距离待测DUT的距离d规定是1m。如果我们的产品要求是满足CISPR RE Class3,我们想知道f=30MHz时,环路面积不能超过多少,此时我们知道,在f=30MHz时,Emax=52dBuV/m,d=1m,还缺少一个数值:环路电流。注意,这个电路是我们设计的,环路电流心里多少应该有数,假设I=25mA。
" n# u3 L7 K8 l& u, T那么,我们根据上面的公式,可以求解出Smax=6.72平方厘米。注意上面公式中单位的换算哈,V/m和dBuV/m,A和mA,Hz和MHz。& e9 B# g/ h% L. Q8 o
这样我们就可以知道,在30MHz时对于25mA的环路电流,在距离1m处电场强度限定为52dBuV/m时,环路的最大面积是6.72cm2。如果环路超出这个面积,那么辐射可能超标,不能满足法规要求。- s, o" J; d! c. k, B" d$ [

7 Q  L( A% l# @& I+ ^$ ~! b
8 A8 u- r+ B/ s2 z. s总  结
: c% }: H8 g/ C" A$ O, \1 l2 u' \& C/ I8 [4 v2 A
先聊到这里,梳理下今天讨论的内容:% [0 K( G; _2 [* _
①提出问题:环路要小,怎样才算小?" ~/ p( M- f6 Z$ M
②限定范围:具有高dV/dt,高di/dt的环路才需要重点关注;
, b6 q& ~3 T9 F; L+ P4 r1 C③解决方案:控制环路的多种措施;% R, R9 d2 E# R. \
④衡量标准:给出定量判别的标准。
, K6 b/ O* G+ O1 p ( j% u2 B* A; N" V) q- @3 `, Z

, o  T! J; A* N: w; [2 b* _* p声明:
% N6 `( H3 F8 M3 x本文转载自硬件微讲堂公众号 ,如涉及作品内容、版权和其它问题,请联系工作人员微(13237418207),我们将在第一时间和您对接删除处理!投稿/招聘/广告/课程合作/资源置换 请加微信:13237418207
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                                                                                        实测分析:怎么理解电容的直流偏压特性?
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                                                                                        LDO电源pcb设计要点
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