万用表测量 MOS 管好坏

硬件笔记本

利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。

" k# v6 n: }. J7 T第一步 将三个脚进行短接放电
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这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电，防止有压差，使它内部产生导通，使得测量有误。
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第二步 测量内部二极管万用表打到二极管档，然后用两个表笔对这个 MOS 管的漏极和源极进行正反向测量。
$ R+ u& O9 d/ V用万用表测量内部二极管，正向测量时应该有一个零点几伏的压降，反向应该截止，不符合的话，说明管子坏了。
对于 N 沟道场管：
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: a- l8 Q" G1 \6 C- {4 S7 z/ ~
) [- A9 g5 E. ]! ?) q$ A( u- ]: U对于 P 沟道场管：
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" `: e# P) \! y# P& }一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降（取决于MOSFET类型），如果压降为零，则 MOSFET 有缺陷，当读数为“开路”或无读数时，MOSFET也有缺陷。
# C" e" _- J3 g, E& K% I" n" i* e) `$ L当反向测量场管内部二极管时，压降应为“开路”或无读数。如果压降为零，则MOSFET有缺陷。
下图显示正向 N 沟道管源漏极之间的二极管有 0.52V 的压降：
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反向测量内部二极管开路：
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; D1 Q1 i' ]+ t! M& X( F下图显示一个损坏的 N 沟道场管反向测量内部二极管有 0.404V 的压降：
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" |9 m1 o4 U5 e) g  q, u3 w1 _4 D$ W第三步 测量其他引脚还是二极管档，场管一共三个引脚，两两测量一共有六种组合。一个好的场管除了正向测量漏源极之间的二极管为有压降，其他任何引脚之间都不应该有压降。