PW8205A6S SOT23-6封装 20V 6A N沟道MOSFET场效应管 低栅极电荷

百盛电子

概述

PW8205A6S采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷

以及在低至2.5V的栅极电压下工作。该设备适用于用作电池保护

或在其他交换应用中。                                                                                                                                                                                                                     功能

VDS=20V，ID=6A

RDS（ON）<21 mQ@VGS=4.5V

RDS（ON）<27 mQ@VGS=2.5V

提供6引脚SOT23-6封装