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TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片0 E/ L, G8 `/ \' g7 V$ e% ]8 ]3 E
6 r9 }6 c3 A6 f概述6 l3 u4 [7 J1 | c) V" i; U
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。: e3 B! k3 _/ X! q6 |/ K
: q8 l3 R- ]4 P5 ], o: F
一般说明
! Z, \6 n% `/ u3 {) kRDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V # X6 i8 X) X6 Q! g6 s! X4 S
RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V- W' C: o3 v7 I2 X1 D
高功率和电流处理能力
0 a+ ^8 {8 \& L" WESD保护* @* h3 h, S& d# z! E( J
表面安装包
5 r% d x, {! S" \# l无铅和绿色设备可用（RoHS兼容）3 J4 C! R: A0 {6 `9 h
5 U* |/ u8 `- }: q* V应用, s7 K. ]8 i9 ]# @
 WM应用程序# ^+ y% ^' J; l9 L& }) ] D+ H: G$ V
负载交换机" B- }+ D, r, ?1 M- \- k/ l
电源管理
( V; ]+ s }! I: ~$ a供电系统3 g0 }8 Z9 E! ]% ^4 d0 n8 }+ P
8 p6 O2 M1 [3 p( p1 [
( B; H$ y$ G' `) J$ \ |
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