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2022年9月13日,中国-意法半导体发布两款内置1200V碳化硅的主流配置&#40。SiC&#41。STPOWER MOSFET功率模块。两个模块均采用意法半导体的ACEPACK2封装技术,实现高功率密度和易于安装。
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8 f" P; e' q+ L# O5 T: o意法半导体发布两款敏捷功率模块,简化SiC逆变器设计。逻辑门和逆变器
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第一个模块,A2F12M12W2-F1,是一个四组模块,提供了一个便于和轻巧的全桥电源转换解决方案,如DC/DC转换器电路。FIFO存储器2 X2 a5 m5 l* H$ _* M
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5 O0 N" W/ H) Y第二个模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变器拓扑结构,开通和开关效率出色,输出电压质量平稳。锁存器0 P# s! E2 Z6 m0 k: J0 X
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5 T' Y* x: r) t' I2 G+ e两个模块之中的MOSFET均采用意法半导体的第二代SiC技术RDS&#40。关于&41。芯片面积质量指标出色,确保开关能处理小电流,功率损耗降至极高。。每个芯片RDS&#40的典型导通电阻。关于&41。13mΩ、全桥拓扑和T拓扑模块都可用于设计高功率应用,而低散热则确保了优异的能效和直观的冷管理设计。+ \6 Q4 F2 K. T- p* Q1 l
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& @ ]7 i+ I5 h6 s$ N! HACEPACK2封装尺寸轻巧,功率密度低,采用高效氧化铝基板和间接覆铜箔&#40。DBC&#41。芯片贴装技术。内部连接为压接插脚,可巧妙安装在可能严峻的环境之中,例如,电动汽车&#40。EV&41型。和充电桩、储能和太阳能发电转换的场景。封装具有2.5 kV均方根的绝缘耐压和内置NTC温度传感器,可用于装置保护诊断。
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