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英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型HYPERRAM™ 3.0器件，进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用，包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网（AIoT）和汽车车联网（V2X），以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。' Z1 A& o. C3 w9 D
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新型HYPERRAM™ 3.0存储芯片
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英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示：“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀，我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM™ 3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗，因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。” F! s# z4 p* E" h5 x& D
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英飞凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器，它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当，但所用的引脚数更少，功耗更低。HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高，从而可以使用引脚数较少的微控制器（MCU）和层数较少的PCB，为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。创芯为电子! t6 c V# X, p
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关于HYPERRAM™
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英飞凌在2017年推出了第一代支持HyperBus™接口的HYPERRAM™器件。第二代HYPERRAM™器件于2021年推出，同时支持OctalxSPI和HyperBus™ JEDEC兼容接口，最高数据速率可达到400 MBps。第三代HYPERRAM™器件支持新的扩展HyperBus™接口，实现了800 MBps的数据速率。HYPERRAM™器件的密度范围为64 Mb至512 Mb，经AEC-Q100认证并可支持最高125℃工业和汽车温度等级。
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