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9 s8 }. | a9 g* x& z, s3 _抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的du/dt，di/dt。这是抗干扰设计中最优 先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。 减小干扰源的du/dt主要是通过在干扰源两端并联电容来实现。减小干扰源的 di/dt则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。 8 h+ G& a0 Q: X# {! p: C6 p" ~& L8 D
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2 x' y- r7 N, m8 o( H1 {% P抑制干扰源的常用措施如下： , o3 P% B2 \& R% C
（1）继电器线圈增加续流二极管，消除断开线圈时产生的反电动势干扰。仅加 续流二极管会使继电器的断开时间滞后，增加稳压二极管后继电器在单位时间内可 动作更多的次数。 ' Z# t G/ {/ F/ B% R% |; `7 a& ^
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（2）在继电器接点两端并接火花抑制电路（一般是RC串联电路，电阻一般选几K 到几十K，电容选0.01uF），减小电火花影响。 H4 z S/ V% b* T8 J
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5 H# h8 R1 U. ]3 P7 Y# k/ G% }) j（3）给电机加滤波电路，注意电容、电感引线要尽量短。 - U3 U. q1 q( ~' E! G$ P/ A
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# V# k5 j% a) _* ]（4）电路板上每个IC要并接一个0.01μF～0.1μF高频电容，以减小IC对电源的 影响。注意高频电容的布线，连线应靠近电源端并尽量粗短，否则，等于增大了电 容的等效串联电阻，会影响滤波效果。
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8 T* I! u, ^+ Y( M. P（5）布线时避免90度折线，减少高频噪声发射。 : K- E# }% `6 i# v9 h8 b& o) ]
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4 l" Y9 t1 h" T（6）可控硅两端并接RC抑制电路，减小可控硅产生的噪声（这个噪声严重时可能 会把可控硅击穿的）。
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" |+ Z+ w# E: a+ W2 按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类。 5 M* ?4 C1 Q. x6 F
所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰。高频干扰噪声和 有用信号的频带不同，可以通过在导线上增加滤波器的方法切断高频干扰 噪声的传播，有时也可加隔离光耦来解决。电源噪声的危害最大，要特别 注意处理。所谓辐射干扰是指通过空间辐射传播到敏感器件的干扰。一般 的解决方法是增加干扰源与敏感器件的距离，用地线把它们隔离和在敏感 器件上加 蔽罩。
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6 P- p: J% y7 M. F9 L5 a( ~% k切断干扰传播路径的常用措施如下：
# b2 B# F% E/ p5 h& z9 R# C0 v（1）充分考虑电源对单片机的影响。电源做得好，整个电路的抗干扰就 解决了一大半。许多单片机对电源噪声很敏感,要给单片机电源加滤波电路 或稳压器，以减小电源噪声对单片机的干扰。比如，可以利用磁珠和电容 组成π形滤波电路，当然条件要求不高时也可用100Ω电阻代替磁珠。
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2 @# a3 X2 N* y+ O* [' X |0 u（2）如果单片机的I/O口用来控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之 间应加隔离（增加π形滤波电路）。 控制电机等噪声器件，在I/O口与噪声源之 间应加隔离（增加π形滤波电路）。
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& Z/ \. m3 u% R& I5 U（3）注意晶振布线。晶振与单片机引脚尽量靠近，用地线把时钟区隔离 起来，晶振外壳接地并固定。此措施可解决许多疑难问题。 ! y# b* `) T4 H4 V
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3 S2 A4 g0 X. N* k! ]（4）电路板合理分区，如强、弱信号，数字、模拟信号。尽可能把干扰源（如电机，继电器）与敏感元件（如单片机）远离。
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（5）用地线把数字区与模拟区隔离，数字地与模拟地要分离，最后在一 点接于电源地。A/D、D/A芯片布线也以此为原则，厂家分配A/D、D/A芯片 引脚排列时已考虑此要求。
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（6）单片机和大功率器件的地线要单独接地，以减小相互干扰。 大功率 器件尽可能放在电路板边缘。 / {8 x) z3 n8 v
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（7）在单片机I/O口，电源线，电路板连接线等关键地方使用抗干扰元件 如磁珠、磁环、电源滤波器，屏蔽罩，可显著提高电路的抗干扰性能。/ [$ J% Q& d8 d+ {* B; I
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