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本帖最后由 cesc 于 2018-7-31 11:22 编辑 Orcad软件闪退问
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本帖最后由 lfljiang 于 2016-12-28 17:01
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DDR设计需要背钻吗

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发表于 2018-8-10 14:40:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
作者:一博科技
9 g1 s6 Y( x. G- q2 N3 [

3 o* Q- ~! n" q$ W; W
背钻,相信从事pcb设计或加工的朋友来说不会陌生。我们知道,这个工艺现在已经比较广泛应用在10G以上的高速串行通道设计中了,它的作用主要是解决过孔stub较长导致的高频能量急剧衰减的问题,越小的过孔stub,急剧衰减的频段越高,因此我们在高速设计会着重考虑它。我们也可以通过2维或者3维对过孔的仿真,得到stub和回损插损曲线的关系,例如下图所示:
" {$ P8 T: n' Y, ]: Q
可以看到,随着过孔stub越来越长,尖峰谐振点出现的频段会逐渐向低频移动,也就是说会逐渐影响到更低频段能量的衰减。当然对于点对点的高速串行信号来说,我们比较容易去下结论要不要背钻,现在随着我们的DDR并行信号的速率也越来越高之后,像目前通用的DDR4的速率是2400Mbps,那我们需要背钻吗?
为此,本人也做了一个简单的仿真(针对地址信号的仿真)来看看到底差异有多大?
一个简单的fly_by拓扑的设计如下:
7 Z, n7 j+ M! {& k' H% G- ]5 y
如果地址信号走得靠近表层的话,的确,换层过孔带来的stub可以比较长。
! X0 C% Z) j5 U: |; }6 ]
. p: Y6 i* B; ?0 f& }5 x
我们对这个信号拓扑进行不同过孔stub长度(从0mil到120mil的stub)的扫描仿真,得到的波形结果(第一个颗粒)会是这样:

7 E* d1 n( r9 F6 {; p8 `
我们直观的看到,有差异的地方主要在上下电平振荡的位置,我们放大一点看下,发现会影响大概25mV的裕量。: m# L+ \1 ?5 v7 x3 b$ [
' @2 F/ W( D6 E5 [9 Y; B; W; }
从眼图上看,也大概能看到些变化,说明stub还是会对信号质量产生一定的影响。
9 ]4 w( M6 ^9 L  u1 }, [* a

( s7 O9 `7 y; c/ w* D那么对于速率更高的数据信号而言,情况又是怎么样的呢?本人还是以仿真数据来说明吧,不同过孔stub的结果如下:
- x' ^: [# f3 X; G$ Z

9 c/ C8 g! L- X) u
从眼图来看,信号的幅值似乎差异不大,差异主要在于上升(下降)沿这里。从波形上升/下降沿看可以看到200mil的stub和没有stub的差异主要有30ps左右。

* a4 W3 ~( ]2 E* X, Q

 

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发表于 2018-8-11 07:01:43 | 显示全部楼层
下载了,.....
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发表于 2018-8-11 15:29:02 | 显示全部楼层
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发表于 2018-8-11 17:49:47 | 显示全部楼层
mark
) |; H5 M. a( T0 ?) E- @* {
5 \6 q5 I  ^9 C! {5 _' v
7 b  e  E% O  @+ l9 }
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