日 期/ h5 W2 W& P: o) Z3 d2 o1 @
| 第一次课程$ z% u/ a! q) r5 f3 w
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课程主题
2 z8 g8 E; j6 L | S参数的详解和S参数的应用；& ~, i# M) y3 ?0 r8 l8 y
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S参数提取实例例应用分析（PCB板级互联仿真分析）(基于Sigrity Power SI软件下的S数的实例应用分析)
4 R% S$ y* R' Y | 【1】S参数的含义与集总参数表示的电路模型构建办法；( L# m: |$ F0 V1 }
【2】S参数的分析，分解，合并，NEXT,FEXT，等效模型；# r7 k8 {- a; g" o! U: P- I% E3 ~
【3】S参数的模型应用与等效电路模型转换办法；
/ y0 o* A; r$ g8 H【4】S参数的网络模型图分析与S参数关联参数提取；0 p$ U/ P- c0 H8 C
【5】S参数的经验标准与常见的行业S参数要求；
1 v+ e S3 G- q0 ?" B7 h |
S参数的详解和S参数的应用互联分析（实例分析）
3 j: _: q1 X7 U9 O |
【1】实例PCB文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；
; s1 b. S* y, V【2】互联网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；
4 B$ t7 A: o8 T! h1 @【3】添加互联端口执行电源类仿真参数设置&提取S参数进行分析；
3 I* P7 _+ a I0 a【4】添加互联端口执行信号类仿真参数设置&提取S参数进行分析；
' N* F/ m; E0 `) | \: d【5】S参数仿真结果数据解读和报告文件解读分析；
* u4 q$ O$ j- {9 R" O/ }6 `【6】实例文件的优化和S参数的分析中遇到问题的优化；0 N* C9 D- N# D3 t- |
【7】传输线LRC的等效模型提取和等效的参数解读；
) c6 \: N4 G8 k+ N. z+ ]7 N |
日 期' @+ R' }+ K- L
| 第二次课程
) n9 }+ \; j9 M% u6 \ |
课程主题; p: o3 N# C. U0 J/ N
| 三维全波场FEM参数分析和互联应用分析（实例分析）5 R) R: n. |. i' I2 m
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" j/ P* v3 r+ `1 _9 k/ e
5 ~( c' `0 c* x0 N, i+ O2 H0 A
2 m: q! h4 T2 J3 @- \9 H- X
: x) \0 B$ E5 D+ v
- a3 n9 e: }$ t! o b# ^: m% i3 p/ [2 s) U
全波场FEM电磁场分析（PCB板级互联仿真分析）（PCB板级互联仿真分析）(基于Sigrity Power SI软件下的全波场FEM分析)* P% q* E2 k, D
| 【1】电磁感应的产生原理，磁场的场特征；) g. v% K, M+ ^0 H& Q
【2】 2.5D XYZ三轴磁场，XYZ方向电场E和XYZ方磁场H磁场方向；( H3 V) i5 t3 ^- A
【3】三维静态磁场，芯片-封装-电路板系统中出现大多数3D结构；, g; V$ n$ [5 F
【4】FDTD全波电磁模拟算法，麦克斯韦方程式来求解；* K2 |" v! n" p. F
【5】实例PCB文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；
8 ~* C) [1 ~; u! { X! G【6】设置电路模型与电路切割，执行区域仿真切割；
% d' p# v) m( q% {【7】设置电路的PORT端口，设置返回路径和正负端口；& S1 ~ n9 J: V4 i- I1 [, K
【8】设置BOX的区域切割的范围，仿真的MESH参数；& [* M. {4 Z" O- h& m* h- Y
【9】设置S参数的提取分辨率，点数，阻抗的参数；
% j* R6 w' S+ E d& Q【10】执行结果分析&无源与有源信号端口链路的处理方法；1 ]1 T4 t4 H$ f! a9 k& Q0 ]
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参数结果分析和解读与改善$ o& L7 h/ o. o6 H; ^* A8 o
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【1】全波场S参数分析与解读，S11,S21，S31,S41;* R' S7 x7 ]! r% j4 }
【2】电源&GND输入阻抗和传输阻抗分析；
5 R$ r5 D1 }8 {* s5 F2 \# a- B: c【3】电源平面谐振分析，目标阻抗计算与标线检查；: m% A7 r2 x# `4 M- Z
【4】PDN平面改善策略与优化传输链路阻抗分析；+ }, j S/ f n- w
【5】近场辐射场参数解读分析，场强与功率场分布；1 j! {0 J) ~$ o' r
【6】远场FCC标准，水平与垂直磁场结果分解与分析；
8 ]2 y: j6 u3 ~ J3 C【7】远近磁场辐射参数切换，场标准解读，辐射场范围；
+ G) p3 i" }3 s- {# l3 u; L+ Y9 O【8】远场和近场的区分，传输线辐射场的范围计算；
4 o. w/ ]; {. E7 T! L- p【9】二值化磁场结果分布图和结果；最差结果标准；0 B: t9 N0 Q. V8 i4 L/ W0 m" c+ Z6 c
【10】近场三维场参数解读，场强功率分布于频率切换下的场参数；
1 t9 H2 C- ]7 f) z【11】高频和低频下的三维场辐射强度分布，谐振点查找；& D( g; o* e( @0 @) g
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日 期, \" k; M4 B6 ?/ q h- ^
| 第三次课程9 N" F6 D2 j# O, x" W7 k
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课程主题# V$ g5 z8 {0 }. Y+ O& w7 {
| IBIS模型建模相关知识和问题；
$ I! @" _4 B% @% N: q' D |
IBIS模型建模相关知识和问题处理办法（PCB板级互联仿真分析）（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）# i* ^$ I5 J9 B% |" c
| 【1】IBIS元件模型相关知识&IO模型&IBIS文件的框架结构；
+ i/ C7 H( a+ l3 K) Y2 @8 [4 l. V【2】输入模型&输出的模型&IO缓存器模型的模型数据分析；4 _2 [/ B- [1 d2 j- x2 q
【3】缓冲器模型部分分析&接收器的阈值&温度和电压&）I/V曲线；
+ b' S* f0 S- O; V* N5 C【4】缓冲器特性电压时间的速度& IBIS模型的获取方法；
9 N5 D. p3 Y# z: n& h/ L【5】IBIS文件中常见的语法错误检查办法&常见的错误修改技巧；
) g& [& Z+ _6 v) J5 |【6】IBIS文件里面电源和GND部分描述模型省略的补救措施修改技巧；
1 r7 U+ Z6 F6 R# V! J8 j【7】IBIS文件的获取途径途径和方法；# m" [6 t. W$ e1 ?; P, i
【8】XtractIM抽取Spice-T模型和Spice-Pi模型及IBIS.pkg方法；3 b$ V v& @+ P
【9】IBIS模型和Spice模型的转换；
. g0 T( i8 S* U$ A/ \9 n: z【10】IBIS下的IO表征和描述行为建模方法；
) |8 f# s4 v9 ~; }! O8 e: f4 @ |
日 期
& Y. N4 B- j! [( Y | 第四次课程; N6 F k0 l* s
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课程主题$ b8 a/ B4 p" L* k- j$ x$ j* K* w
| 通用时域信号互联仿真分析（实例仿真）
0 }+ `) a d7 r |
通用信号实例仿真分析（PCB板级互联仿真分析）（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）
$ z5 @% j* i) V. p: P | 【1】实例PCB文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；& B# I& ?& a. H6 O( R9 `
【2】互联网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；8 ] l& T# s% r( P0 R
【3】IBIS文件错误检查&错误修改和IO缓冲器的特性检查配置；
* s: c p% v6 }【4】DIE和封装Package IBIS文件关联编辑生成新的关联IBIS文件；
. s3 z; ` U0 P% t" d' s【5】设置仿真的网络和区域&进行关键网络的链路分析和阻抗检查；( V0 V9 M$ a9 m: d& e
【6】设置分析网络的关联信号的GND和VCC分组&关键信号进行分类；; N5 n+ n1 j8 y( ~
【7】关联分析信号元件的IBIS模型&创建多信号分组&信号关联检查；
* t5 w( @! k" w( P$ ?% Y; \【8】编写信号激励源的函数&设置激励源&关联信号激励TX发送；6 ?6 Z) Q4 c& L2 X+ S7 ^) _/ W o
【9】设置信号流向关联RX接收&设置对用网络的IO模型关联模型；% D3 @8 J+ D a; I0 j! R, p
【10】设置仿真参数包括Level两个等级&设置参与仿真的信号网络类；
- _( _. L3 b# g+ l7 j+ s【11】执行仿真分析仿真结果&建立信号分析模板对结果提出改进；# Y2 D3 N$ H' }1 u; @9 S
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日 期9 x" D' h5 y; ]9 K2 h' q+ N
| 第五次课程; L7 L) E' C4 v" t9 {) o( s: I
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课程主题% t5 n6 y) \% l2 ~$ w, u# ?
| DDR3内存信号时序标准和相关信号评定指标；
/ d" N- z7 h( p0 k+ g; P4 [ |
内存DDR3专题时域信号仿真分析（PCB板级互联仿真分析）（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）1 U8 T! G* x' t2 s) }2 K
| 【1】DDR3芯片常见的BGA类内存封装选择策略；
?8 {* z0 H' W; w【2】DDR3 内存中常见的信号分类和信号的各自定义与特征详解；, b% ~; y- J2 {" d: \
【3】DDR3 地址组&控制组&时钟组&命令组&数据组信号分类和特征；
8 h( f& G1 w( O! Y【4】DDR3 输入信号VIHAC,VIHDC,VILAC,VILDC,VREF的判断标准幅度；
- H1 l. X1 i6 l3 d# Q6 b! N【5】DDR3 单线信号过冲&下冲的最大区域范围和信号的速率及影响；
$ I$ W: N8 u7 z- F& V/ \【6】DDR3 差分线CLK,DQS信号最大和最小的设置范围区间；
/ L5 }9 \7 V5 u- N4 g3 ?; C1 d0 \【7】TIS,TIH,TDS,TDH,TVAC,AC175,DC100,AC150,AC135等的时序；: t6 d9 g; X7 |. l0 T
【8】建立时间和保持是关系，信号建立时间和保持时间的关联因素；3 n9 t1 S+ R" |* Z& d4 V t
【9】信号眼图模板的制作眼图的眼宽&眼高的计算；$ h e) [. T: q1 m6 |
【10】理想和非理想下眼图判断依据标准；
# a9 f) _- ?1 T+ @0 ]1 ^+ q5 t7 h |
DDR3内存信号分析（实例分析）5 I2 }' Q6 L2 } U2 u
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【1】DDR3实例文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；
5 t5 H9 A/ A4 g9 _; @- w【2】DDR3网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置；. ]3 W1 j! |0 R3 \% O0 d
【3】DDR3 IBIS文件错误检查&修改和IO缓冲器的特性检查配置；
# E' _# h* f# R0 Y7 @* T【4】DDR3仿真的网络和区域&进行关键网络的链路分析和阻抗检查；
7 K" [8 v9 h, R& @1 D; o【5】DDR3网络的关联信号的GND和VCC分组&关键信号进行分类；/ ?; Q. p ?" C& J7 ~" Q. S
【6】DDR3关联信号元件的IBIS模型&创建多信号分组&关联检查；6 h& W3 ?0 \6 L4 S
【7】设置仿真条件和仿真的参数等级&设置参与仿真的信号网络类；
* C2 O$ i6 D; h* u【8】设置参与仿真的信号组类型，地址，命令，控制，数据，时钟；( t% |! H: d' t( o+ k4 \4 w
【9】执行仿真查看仿真结果&套用内存时序分析模板对结果进行分析；( J8 M6 u0 S* t1 i) N
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日 期 t1 A) J: r1 }0 j6 i
| 第六次课程
$ R! H9 h$ K1 p9 Z1 F) Q4 C |
课程主题2 b6 A: Y2 q- d4 L+ v1 b% l
| DDR3内存信号实例分析结果分析和报告输出； u# H+ N$ X/ m6 P. U- G/ @+ p
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DDR3内存信号实例分析结果分析;. f4 K4 ]% @2 b* H v
（基于Sigrity Speed2000软件下的信号质量评估）
" \5 `2 o; i- F6 d- G | 【1】CK+,CK-接收数据整理参考内置DDR3模板标准做数据对比解析；
4 W% f8 J% W7 f. _6 [【2】DQS+,DQS-接收数据整理参考内置DDR3模板标准做数据对比解析；
% y/ \' ?. o9 u$ y( {【3】地址组分析结果整理和考内置DDR3模板标准做数据对比解析;
) f. l2 S. W* |9 }: r4 |【4】数据组分析结果整理和考内置DDR3模板标准做数据对比解析;) o3 s s# H# b* v" f9 W/ ~: S
【5】过冲&下冲&信号抖动&眼图模板&定义模板数据比较和初判断；
; [% s; W+ g4 |: ^) t【6】基于预定义的DDR3内存模板文件输出仿真报告；
! I* }, F8 A9 ]; v* S+ j【7】输出的报告文件进行解读分析&分析建立时间和保持时间的余量；% a, G: R- \! `0 r8 T' s
【8】对输出的报告文件中的最佳建立时间报告进行分析；
0 @- R$ R2 h1 B3 v) L【9】对输出的报告文件中的最佳保持时间报告进行分析；
% C2 i M( T9 [. m# t【10】对输出的报告文件中的最佳眼图眼高报告进行分析；* G9 R! k0 U$ Q4 n7 q5 M9 `9 b7 R' l
【11】对仿真中存在的不合格项目进行优化冗余分析；
4 f' A6 H) ~ G( b8 I5 d【12】提出改善DDR3的优化策略和多参数分析优化思路；
' u% ~ Q. |0 D+ Q4 _/ J |
日 期! _, P# G4 Q M; J, D
| 第七次课程; U) n& t0 S) a0 }( S
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课程主题7 v7 `" _3 ] K& c0 U
| 板级EMI辐射仿真实例分析（实例分析）
, D5 i$ H; v+ S |
板级EMI仿真实例分析（基于Sigrity Speed2000软件下的板级EMI分析）; d& {. n x2 k. j+ m
| 【1】实例文件导入和材料的参数带入及配置材料表等参数设置；
: {+ ]. T1 H! F* K【2】互联网络连通性检查&信号互联的过孔&焊盘&铜皮等参数配置； ]( B6 O! z3 ]7 `6 ]
【3】IBIS文件错误检查&错误修改和IO缓冲器的特性检查配置；2 c. X P: k! {0 Q7 S
【4】设置仿真的网络和区域&进行关键网络的链路分析和阻抗检查；
4 j2 a' V! [7 a* x【5】设置分析网络的关联信号的GND和VCC分组&关键信号进行分类；
* B" c ?5 A q【6】关联分析信号元件的IBIS模型&创建多信号分组&信号关联检查；, ?% a* x* L2 H7 q
【7】编写信号激励源的函数&设置激励源&关联信号激励TX发送；( n- u" g7 E! \0 Q4 f
【8】设置信号流向关联RX接收&设置对用网络的IO模型关联模型；
1 q; E/ |3 L8 ]& j* y' o0 S【9】执行仿真分析仿真结果&近场辐射场参数解读分析；1 S* O& z% p( _3 W; k* i/ D3 B g
【10】远场FCC标准，水平与垂直磁场结果分解与分析；
7 R: Q8 f. U# f2 o3 ?【11】远近磁场辐射参数切换，场标准解读，辐射场范围； N' G3 z5 ~4 C7 Z( o3 D E* E
【12】远场和近场的区分，传输线辐射场的范围计算；
, @1 O1 }7 \& `+ q; z( r【13】二值化磁场结果分布图和结果；最差结果标准；
6 @( \4 b2 _& ~【14】近场三维场参数解读&空间辐射源查找与信号辐射优化策略；
6 }5 @% G2 A$ r4 @4 T |
日 期
+ a1 h8 C* [7 V | 第八次课程8 y8 ~6 a1 }- W% {/ @
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课程主题2 P7 Q1 k6 N8 K# q" l. J
| 10G封装体全波场高速串行信号仿真实例；+ u# J% F" I1 J1 Q# i1 H
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10G封装体全波场高速串行信号仿真实例;, }0 G/ \, f6 y3 z2 ^9 G
（基于Sigrity SYSTEM SI高速互联模块的实例分析）
/ r9 B- ?$ {1 P5 A5 Z0 [ | 【1】封装体全波场S参数提取&3DFEM全波场S参数提取；
2 W) M: B4 T4 m【2】10G S参数结果分析和S11,S21信号质量评估；
) X, L& R4 U; Y' T【3】BNP&TS文件转换和SPICE等效模型转换与分析；3 f/ J/ G: @$ L# K
【4】SYSTEM SI 系统仿真链路搭建与模型关联；
# \, m$ p. e6 R% w1 O* K" A" }" s【5】IBIS-AMI信号激励码的设置与模型匹配；
/ b9 y4 h0 f+ H【6】信号仿真执行和注意事项和常见问题；0 B! k' c8 K+ Y% e2 x7 t5 E
【7】结果分析和解读，10G 69A-7标准规范&信号抖动公差；；; c6 E% ~0 ~3 X/ J8 F
【8】结果分析和解读，差分对TX/RX信号误差对比分析；
; a, X6 V6 o& x; U9 Z【9】结果分析和解读，S21信号插入损耗分析&拟合衰减&插入损耗；/ z W3 w# L' y' w/ b+ {
【10】结果分析和解读，S11,S22回损分析，TX S11&RX S22；" }8 u/ ?0 w8 s) R# V+ b, R
【11】结果分析和解读，TP1和TP4之间的串扰DB；* ?. J( u/ D+ G+ J
【12】信号分析结果优化与信号质量改进方法；! a' X3 q G: i5 z4 K o1 o
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日 期
, X+ X7 Z& Q$ o# g8 j( m | 第九次课程" V6 b/ D1 }4 U1 o; y; P
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课程主题4 p6 |9 k0 D3 S) Z1 u! ]
| PCB互联电和热混合仿真的效应基础 A& ]( X, N3 j2 d8 h
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PCB直流压降与电热混合仿真；
0 J( p; A$ l3 Q5 v$ }, i2 Q（基于Sigrity PowerDC软件下的电热混合仿真）9 e- h9 E; K3 G
| 【1】欧姆定律与电路的电阻计算方式；* S0 T0 ]/ t/ W% H
【2】直流电路的压降分析与电路的回路系统；" g7 O" c5 A; `% Y$ ] {( j
【3】封装堆叠与封装结构体中的电压回路系统；
- b/ ?& n* S$ q ]8 j* t/ X8 x【4】电源树和导入电源树后的BLOCK分布编辑设置；! `$ |+ z. X7 n3 w/ ~1 p
【5】导入回路与常见的热通路热阻模型；
# Y! d' z4 B/ q3 K【6】热流密度与电热的相互效应参数；2 ~5 X; R8 R/ z* v' A7 S3 B
【7】铜皮，金，银，钨等金属材料的电和热参数；, \$ {+ f2 I- g3 o, V
【8】通用的热与散热处理方法，热通路和电通路；( Z9 m# Z3 {8 j/ P5 v8 k
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课程主题# r! R" s O; N& Q
| PCB（单或者多板）互联电源系统DC电参数分析；（实例仿真分析）. \* j; G2 |3 J% B. Y: T
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PCB直流压降与电热混合仿真；! `* c* i4 Q7 @( X
（基于Sigrity PowerDC软件下的电热混合仿真）7 l9 x5 t1 o/ V+ d0 b
5 ^# p+ L4 g$ E% O M) s
| 【1】建立项目载入文件，封装参数SPD;
8 \" d# w8 ~& Q' t" o6 p【2】叠层设置，材料的电参数设置，过孔参数设置；
9 \: \$ v" p& Y( `$ K% z【3】封装体预览与三维结构体分析；8 w3 H R2 V, X4 ?0 l6 m7 ^6 `% h
【4】设置电源和GND，网络归类；
* G# z/ H$ N/ \! D" s% g【5】设置VRM电压源&设置Sinks负载，设置输入和内阻模型；
* a9 v; w! B1 N0 P4 E [- e【6】使用Power Tree建立参数模型和构建互联的DC模型；9 ?! z& w& D, ?- {$ a' E
【7】设置规则，电参数设置，层，过孔，电路密度参数；
b! t; k, s: f `【8】仿真和分析结果，解读仿真结果。
# |1 U, d& U, r* h: P【9】电路&电流热点超标点查找，与改进方式；! g& x5 ~# M5 |( H5 e! Q# g
【10】VCC&GND 3D电路电流密度分析，动态热点分析；
* k5 \: u+ p* z* O7 L2 t: r【11】改善策略与分析&多参数扫描分析；
; w9 I( A# o7 X* d' k- o* S' F |
PCB（单或者多板）互联电源系统电热混合参数分析；（实例仿真分析）
% x$ g' F W: ]0 k |
【1】建立项目载入文件，封装参数SPD;$ f+ \, f( @7 z* p
【2】叠层设置，材料的电参数设置，过孔&热参数参数设置；4 ?. ?7 L& z) x& G" y& X
【3】封装体预览与三维结构体分析；
% o2 [' s6 i B: @4 \5 y4 m【4】设置电源和GND，网络归类；* \4 K6 m% ~# V7 y
【5】设置VRM电压源&设置Sinks负载，设置输入和内阻模型7 O. V$ T0 ?- D0 Z
【6】使用Power Tree建立参数模型和构建互联的DC模型；1 ]' V9 \, x& n/ `
【7】设置规则，电参数设置，层，过孔，电路密度参数；+ S$ s( w2 ~/ h }% S: J
【8】设置仿真环境温度，风扇，风速，热环境；5 Z. a7 W+ D* G: f2 e( a
【9】 设置热元件参数，MCU,MPU,电源等大电流器件的热阻模型；
* w( [0 p" t% a. |【10】散热片设置，元件模型散热片与安装位置设置，导热设置；
" ~* [; _6 f5 z9 p e8 [& l. Z【11】设置热分析标准，建立热分析规则；2 y$ g1 g3 c" d! u7 r- a( r
【12】仿真和分析结果，解读仿真结果。- h l. {7 R( p0 P( g
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电热混合参数扫描结果分析1 K* W. D* V% x$ ~0 S T
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【1】电路&电流热点超标点查找与系统与改进的方法；+ B5 ~" B) |' p9 _( C
【2】VCC&GND 3D电路电流密度分析，动态热点分析；" j9 ]3 C& L6 f% f3 r: I3 h
【3】3D热温度分布分析，热导图分析；
n1 k- u* ?. w9 o( m【4】热辐射对元件的MTBF寿命参数与寿命分析；
" l% k% `+ q( d( V, `4 M5 O【5】改善策略与在分析&多参数扫描分析；5 K8 A+ x0 [& @1 a
【6】整理资料输出电热混合仿真报告，给出整改建议；2 k! J1 q$ [' a7 z$ O
【7】分析电密度超标区域&分析热密度超标区域&提出改善措施；# {6 C* G" U1 k2 k3 n
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电子产业一站式赋能平台
窥视卡
置顶卡
变色卡
