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电路分析-可控硅设计经验分享

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发表于 2024-4-12 08:30:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
过去的几个智能开关项目中,频繁使用可控硅作为无触点开关,期间由于个人对可控硅设计认知粗糙的原因,跳入了好几个“坑”,现在对可控硅设计知识要点进行总结:! U6 J, Q5 _0 o/ Y- t7 v
$ P3 j" A% |' |. b9 [
可控硅类别:
0 Q5 Z' ?8 R& U, za. 单向可控硅:门极带阻灵敏型单向可控硅、门极灵敏型单向可控硅、标准型单向可控硅······
# {) r) N# Q0 P& g  Sb. 双向可控硅:标准型双向可控硅、四象限双向可控硅、洗衣机专用双向可控硅、高结温双向可控硅、瞬态抑制型双向可控硅······
$ ^9 C% X6 g( `5 i3 Uc. 电力电子可控硅:电力电子可控硅模块芯片、电力电子可控硅模块组件
- }2 d) v& m6 _* U7 U+ S
7 H  v. l2 V/ |/ S$ Y; f可控硅等效结构:
5 A# v% n' H9 X* U( K6 d- A单向可控硅3 t5 f* H0 v! Y  r# u

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* r( X/ V6 h- F! P: Q, }双向可控硅0 W0 n8 \$ C: i, s' ~* X

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! H; V: `  z1 }& c2 D
& g% m; O; G. Z# B; Z+ q6 F' m# n" ~
对于一个可控硅,主要看其5个参数:
' `& ]% ]$ C# k4 S% V, w额定平均电流、维持电流、控制极触发电压和电流、 正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压3 n: G$ l9 U( b8 T! `2 ]

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! X/ O/ \1 A+ D4 q, A- r
( m/ V, n. s1 c; }0 {经验教训1:该电路能否将灯点亮?
: _+ H8 [( ^8 T$ z, g2 Q0 n2 I

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+ l& ?& w- P! U% e解析:不能,由于控制可控硅关断的1,3引脚没有通路,无触发电流
- N9 @, a1 T' M
+ K& r* M' M- I4 B- x  d$ e0 K经验教训2:该电路负载通断不受MOC3021控制?4 U: P' W' _, p6 s6 z, ?

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, a/ H9 A9 ^- n8 l: u( N$ s
解析:不受控制,对于交流电,可以不经过MOC3021而直接流过可控硅的1,3引脚使其处于控制极导通状态
% b6 m7 [; v9 `) Y: W( F% j2 a& H% ]
: Y, a5 G9 R6 Y! q0 j' U7 `$ v理解可控硅的“象限”——
& D1 M: V( i5 X! G- A' x4 z# w; ?1、为何需要有“象限”这个概念?“象限”通用命名法?(个人认为:对于象限概念的提出,是为了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡尔引入直角坐标系是为了更好地描述二维数据)( m6 r1 F; x+ _- X
2、如何区分不同象限可控硅?
+ q4 L4 V" `8 g- Z第一象限:MT2+    Igt+/ s% U/ U1 T, y7 Z
第二象限:MT2+    Igt-
+ ?! K' N+ p) V9 Y* V第三象限:MT2 -    Igt-
% F3 D# `  ?$ @7 o7 b第四象限:MT2 -    Igt+# @# s! A0 z9 [4 x

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; B# {, @: M* d" Z
. b+ u- s9 {6 d  j" d2 f可控硅从导通到底关断的条件?9 c2 c/ K* k2 a* P% [2 ?2 B5 Q" b5 E
1、单独撤去控制极电压;
% E2 ?  V% H8 D2、MT1,MT2电流小于导通维持电流。
/ x3 s; {' U. s5 [1 }注意:可控硅MT1、MT2流过的电流小于导通维持电流时,可控硅关断,但是单独撤去可控硅控制极电压时,需等到第2个条件满足时才会关断
" h3 O2 B3 [2 H0 @) c) X$ \/ I
8 j( Z+ X+ P0 ?1 K) ~一个改进型的可控硅例子
4 n' |% `4 S+ A$ h. v

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8 ]6 a2 o6 R; k" ]3 }* n& {
可控硅设计十条黄金规则1 g+ L3 _6 |8 w  _% o4 A" d
1.为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT ,直至负载电流达到≧IL 。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑;
5 |& v! _4 x- z6 ?2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须[I]( y+ Q1 x& g- S8 R
3. 设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+);, A* m6 n8 A  `% ^, v" i
4. 为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极),若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H 系列低灵敏度双向可控硅;7 ]! R+ O( g% K
5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题,在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。若高dICOM/dt 可能引起问题,加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com 双向可控硅;; y* `2 P& B7 s, ~2 J6 X3 b+ A
6. 假如双向可控硅的VDRM 在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH 的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV 跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路;8 e  p& H9 O3 w
7. 选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt 承受能力;
# Q6 ]1 g  ?( P" }2 q8. 若双向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,负载上最好串联一个几μH 的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通;
4 a' C6 Z7 @1 I9 ~7 P- E. Z$ Q9. 器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。;
5 @& n0 s+ M) M, j10.为了长期可靠工作,应保证Rth j-a 足够低,维持Tj 不高于Tjmax ,其值相应于可能的最高环境温度。
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