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一节课认识一种器件，这个速度的确让很多同学招架不住，好在我们还可以课后加餐，睡前重温一下内容~~~
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Field Effect Transistor' W" G. o5 b4 {6 Q2 s, F9 \- F5 b
- U1 f7 i3 A' F& h( l8 e
7 O' ]# E9 f( U# o6 Q: ~
场效应管(Field Effect Transistor，FET)是一种利用电场效应控制电流的三端放大器件。它是电子领域的新宠，不仅具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点。场效应管有两种类型，金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET)和结型场效应管(Junction FET，JFET)。其中MOSFET在大规模和超大规模集成电路占重要地位。也许在座的有些同学以后工作中会专门研究这个小东西呢。3 P8 P3 K; Z" x7 k- ` \! \
同样看一个科普视频，直观感受一下MOSFET的原理和应用(字幕中个别字有笔误哦)
- q) w$ G! a% ^( C& b5 t1 q* a) z/ B视频只作为科普，视频来源于网络$ L2 F4 R: U! G7 T+ [- E9 K
重点一 FET的分类
2 I1 m, w9 {: E6 `9 q% E' i+ a ]7 c. {0 n5 }
V; C* R; u1 s, v
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( h/ I4 ^; [- d6 O1 `JFET应用相对较少，因此咱们就不提了，单MOSFET来看，就有N沟道增强型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET和P沟道耗尽型MOSFET。我们学这四种也就够了7 K% b5 [7 I/ r- X$ x& D' U
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Field Effect Transistor
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) [7 z, Z$ n2 v5 J: N8 K# j ^5 d% y+ a
& J/ A2 E) t* _& c% A) D; T4 Z重点二 N沟道增强型MOSFET的工作原理. T I' D, M$ H: d f
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4 e4 Y% f9 i, |
场效应管的工作原理和晶体三极管不同，BJT是基极电流控制集电极电流，但MOSFET的栅极是绝缘的，根本没电流，因此需要注意下面两个要点0 X! g- e( M9 D; ]
第一：需要从它名称出发：电场效应引起电流变化。要牢牢把握的是栅源之间的电压VGS和漏源之间的电压VDS对输出电流ID(沟道)的影响: B; k/ o/ l# `8 Q) m
第二，增强型MOS管的结构特点是最开始没有导电沟道: A$ `3 B9 ?8 f$ @, E5 C
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4 J/ O* h6 {& V mVGS对沟道的影响
9 P: K+ L6 ]! H- N7 kVGS=0时没有导电沟道，直到增加到形成沟道，这时的电压称为开启电压VT，即VGS=VT时，沟道形成，之后VGS越大，沟道越大
( k% e3 |, `! w, Y% p
, C% h1 r, c2 m" u9 c: E; mVDS对ID的影响 E4 t6 _( ]" M. K3 R/ y. H( r( k
漏源电压在MOS管有了导电沟道之后开始起作用。3 l A5 A: R+ R* L/ q
VDS越大，ID越大，直到VDS=VGS-VT时出现预夹断；预夹断之后，也就是VDS>VGS-VT，VDS增大，ID基本不变Field Effect Transistor# ~0 K( o+ a1 d. ?! X
t% p/ a) z7 z# Y$ F
9 w% ]' n1 Y- G$ O. T# o重点三 N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线
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7 [3 V; x, [8 ~$ u4 a+ ~5 K. _. c) w! r4 y9 E5 m# G0 G2 q
& B: F. q1 H8 D' F/ o6 f8 V' Y输出特性曲线$ G/ `' M3 e- k
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9 ~7 |, ?; q* t0 m, l
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+ o& F; L8 d' S
漏源电压用于区分可变电阻区和恒流区: n' K& P- n& k- i
0~（VGS-VT）之间是可变电阻区7 G3 b! Y6 I1 d9 @( D$ x; h+ [
大于(VGS-VT)是恒流区$ t: A' e x: S1 W9 S8 B" J* z
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转移特性曲线
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Q??: 为何FET不画输入特性曲线？* x7 ?9 v2 K- Q: L
A??:因为MOS管的输入电流，也就是栅极电流一直等于0
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栅源电压决定MOS管是否工作，9 z; j( B: l P4 z
VGS，电流为零，导电沟道没有形成，管子截止；
/ C' [2 P; Q+ X0 NVGS≥VT，有了导电沟道，漏源才导通0 }3 V- Z) S$ E4 `) T( y6 L9 Y2 I
Field Effect Transistor- A, T8 R3 {3 y" r% m" l c! i
' x' c. w! R1 o! f3 n6 p
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8 A/ g) X E* H难点 四种场效应管的特性比较8 ?+ r& Z0 i7 E" _
) H0 Y) o/ N1 r! Y. M9 v
/ c8 w( A, w" c6 n' O0 i
注意：耗尽型MOS由于器件内存在原始导电沟道，所以不再需要通过VGS增大到形成导电沟道后，管子才工作，耗尽型管子在VGS=0时就可以工作。而由于开始就有导电沟道，如果VGS减小，沟道会减小，直至等于夹断电压VP时沟道消失。
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5 W3 a6 w6 Y# b. T1 e( }& N1 eN沟道MOS管 正常工作要求VDS>0 i+ s% J) R9 L6 T( Y, ]* N. e
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1 \; p: a/ Y' yP沟道MOS管 正常工作要求VDS
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6 s) X3 a: I: M- A
Q:上述四种MOSFET的输出特性曲线，怎么感觉都差不多呀，应该如何区分呢？# _: ]1 M, l; [/ n) z
A:先区分N沟道和P沟道) S& i, Q1 P4 F1 a
看VDS，
* U9 x M; R/ s* s& u: h8 t0 X- T7 zVDS是正值为N沟道；VDS是负值为P沟道
5 G/ `4 z2 ?( G& [, G" }A: 后区分增强型和耗尽型+ i Y; ~7 L1 Y, s! B+ N7 `
看输出特性曲线中是否有VGS=0的那条曲线/ P; f7 i2 R$ F, z( a5 s/ `* A
有VGS=0的曲线，为耗尽型
7 J5 h6 b# |, X3 b% y* @/ |无VGS=0的曲线，为增强型+ y% E" P# X8 X6 S
懂了吗？????????????
1 E; k* Y6 U6 C: z8 B现学现用，留言区里等着各位哦????????' [9 N; S* t" L h6 O4 n3 L5 Q$ i) P
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1 A) w& A, z, x- ?
互动题& Y( U& [! k2 T
已知场效应管的输出特性曲线如下图所示，试判断场效应管的类型并确定夹断电压或开启电压的值。
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. h3 k$ u# s+ S. J. t
看看谁是第一个回答出来的(????)$ d, I! c/ J6 ]- d4 f0 l
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: s( X% }1 H" y: V2 u, C8 o· END· |
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