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小模电重难点——场效应管

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发表于 2024-3-21 21:29:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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' O! v7 ]) N/ J一节课认识一种器件,这个速度的确让很多同学招架不住,好在我们还可以课后加餐,睡前重温一下内容~~~$ n' M4 d* T) m# q" x/ \

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/ S' `% u: ?+ S% X! OField Effect Transistor( Y8 h+ h% m* A' [' f; U
3 k, y3 A& h! L+ `, Z) ^
  Z# V0 H7 s1 K8 f
场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种利用电场效应控制电流的三端放大器件。它是电子领域的新宠,不仅具有体积小重量轻耗电省寿命长等特点,而且还有输入阻抗高噪声低抗辐射能力强制造工艺简单等优点。场效应管有两种类型,金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor FET,MOSFET)和结型场效应管(Junction FET,JFET)。其中MOSFET在大规模和超大规模集成电路占重要地位。也许在座的有些同学以后工作中会专门研究这个小东西呢。
  R! s) J" H! c  l. }同样看一个科普视频,直观感受一下MOSFET的原理和应用(字幕中个别字有笔误哦)
6 d* X. Z" S4 A7 f视频只作为科普,视频来源于网络3 D% b/ W( Y! ?2 z" p
重点一     FET的分类
( i7 i* ~  s% }/ r: |- A) `% H, Q1 N: W0 N: I8 h3 ^4 U

# R9 Y* v9 S4 x  L  i- v  ]

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. Q) ~% K/ f1 r: H! b) f) |$ MJFET应用相对较少,因此咱们就不提了,单MOSFET来看,就有N沟道增强型MOSFETP沟道增强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFETP沟道耗尽型MOSFET。我们学这四种也就够了
) B  C4 D" t: M" x

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8 F8 d" i: |8 S# Q  A, ]1 `/ ]* B  b/ l+ ?: D
Field Effect Transistor' \: o" r5 {" V5 g8 r
3 K6 A1 w" A  |+ [, J! B- r

9 e' p4 j+ s/ w; k. c# ^. s
4 o* W. G+ l1 j  V' i) ]重点二  N沟道增强型MOSFET的工作原理. U0 c) M5 x2 G  \2 c7 ?+ x, R1 @

- r# ]) h2 `  p; B' M' H, Y  ]( @& n- [! t. v! P1 p
场效应管的工作原理和晶体三极管不同,BJT是基极电流控制集电极电流,但MOSFET的栅极是绝缘的,根本没电流,因此需要注意下面两个要点
3 S% q3 C/ Z& A" U. Z第一:需要从它名称出发:电场效应引起电流变化。要牢牢把握的是栅源之间的电压VGS漏源之间的电压VDS对输出电流ID(沟道)的影响
: u, b; u# e5 `1 d- }第二,增强型MOS管的结构特点是最开始没有导电沟道
: z' ?* s, U, g8 f# o& V

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( [$ }* v  T) z, y- W. ?VGS对沟道的影响
) B# R/ A, L/ A; u" n1 M, p( A. tVGS=0时没有导电沟道,直到增加到形成沟道,这时的电压称为开启电压VT,即VGS=VT时,沟道形成,之后VGS越大,沟道越大+ j7 \; V0 Y5 i. V
; z7 H6 W# }. L( g0 v( s6 k
VDS对ID的影响
  q) i9 B. ~5 I! x3 M$ l. {; A漏源电压在MOS管有了导电沟道之后开始起作用。2 h+ v' {, m7 V' N: a% J7 y
VDS越大,ID越大,直到VDS=VGS-VT时出现预夹断;预夹断之后,也就是VDS>VGS-VT,VDS增大,ID基本不变Field Effect Transistor- K, i5 ]' P8 J4 A. s1 R( _
+ i$ A3 R- r4 I7 w3 c

; c3 G; j+ n! V4 x  \) m3 t重点三  N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线
+ t; V4 m, N$ l+ r  u/ p/ [0 V8 ?$ \4 \- X

7 [! A: y* H8 P6 n3 l! }5 u6 f
/ j& X! N; D0 x( u" {输出特性曲线
& n' q* T  Y3 {" s# J$ V% \$ r

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* x( T( u+ r. g' O! l+ H0 `

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; |7 Z9 t3 v  Q2 q8 @
漏源电压用于区分可变电阻区和恒流区' E% ?: B* Y4 c' c! N8 `. {
0~(VGS-VT)之间是可变电阻区0 o- i7 s( S% j; Q! Y
大于(VGS-VT)是恒流区$ E( e' V+ W. _' J; m% w. Z

) E$ o- b* r9 n转移特性曲线- V7 V2 J- w0 ^3 G" G

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2 u3 k# V4 t# {( ~2 c" y$ h
Q??: 为何FET不画输入特性曲线?2 N& s& f1 g+ ~1 o( z
A??:因为MOS管的输入电流,也就是栅极电流一直等于0; D# r! c) Q* i, q! U8 a. G7 A

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4 `* x- E7 Q4 m- b6 F- F. T( c
栅源电压决定MOS管是否工作,
8 O0 C4 R" t+ V: h( C+ R% `VGS,电流为零,导电沟道没有形成,管子截止7 n. d) E( ?- a% [. X# g
VGS≥VT,有了导电沟道,漏源才导通
* n0 J% P3 Z0 a3 g) |Field Effect Transistor
$ z! c/ i: ~& {+ q  G8 _! J3 ]! W; V4 }# Y" v% h( \

) s/ U) C, @* J4 P
9 o2 R: q( H+ t! n4 [% A" o难点  四种场效应管的特性比较
; p( o) q' w6 q1 y3 f+ I: {8 _+ R1 ]
1 b0 c, X, E. ?/ u
注意:耗尽型MOS由于器件内存在原始导电沟道,所以不再需要通过VGS增大到形成导电沟道后,管子才工作,耗尽型管子在VGS=0时就可以工作。而由于开始就有导电沟道,如果VGS减小,沟道会减小,直至等于夹断电压VP时沟道消失。6 a; K$ |0 _8 W

. _+ |# k7 y2 n" U' JN沟道MOS管 正常工作要求VDS>05 y: J: J3 D: u1 N' ?) o

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/ Q8 l: J5 D. x1 x5 I$ D
; N4 a0 x9 z5 v3 R
P沟道MOS管 正常工作要求VDS; D5 k8 i3 |3 U$ K( L, W4 `1 c

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) p: s8 W- p9 w( a/ _Q:上述四种MOSFET的输出特性曲线,怎么感觉都差不多呀,应该如何区分呢?/ H) ~' x9 ?8 V7 X( E" K, S
A:先区分N沟道和P沟道8 e0 h  d. ~* j0 o
看VDS,- b8 S! I  A0 L3 G
VDS是正值为N沟道;VDS是负值为P沟道
6 s) m2 x$ @9 _' S! t) T1 M' [" m& {A: 后区分增强型和耗尽型* R; U. h9 F& l# I4 n: \! O( O
看输出特性曲线中是否有VGS=0的那条曲线8 p7 E+ f/ n, ^0 h
有VGS=0的曲线,为耗尽型5 }( o7 O, S, Y" y; q
无VGS=0的曲线,为增强型
" ^+ c( R& z3 W6 v懂了吗?????????????7 `: l4 P4 b. H$ n
现学现用,留言区里等着各位哦????????7 ~5 {* A5 j8 {" s0 D! V1 x7 J- L0 ^

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- A  H4 X  u, Q+ {7 b# O互动题
" g8 ]9 w# q; j  t4 w8 q1 \ 已知场效应管的输出特性曲线如下图所示,试判断场效应管的类型并确定夹断电压或开启电压的值。- `4 N/ j7 S2 a+ G

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* c9 ^9 U, ^7 T& q0 F
看看谁是第一个回答出来的(????)/ p/ v" G% V7 e) o9 s0 ^$ ~

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, y5 e4 p9 ~) X# k. V7 N· END·
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