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, X7 _3 h1 f1 s" F7 S9 N l3 y一节课认识一种器件，这个速度的确让很多同学招架不住，好在我们还可以课后加餐，睡前重温一下内容~~~1 C2 g" H8 ^2 P( U) e- E0 P+ `8 f' J
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8 ~: p. [( P5 Z5 `' DField Effect Transistor Y2 D3 b7 ]6 R' V8 r: F3 K' ^
& W4 P! c7 D5 R; S+ a
- N+ ~9 R3 x! H7 e0 J0 k场效应管(Field Effect Transistor，FET)是一种利用电场效应控制电流的三端放大器件。它是电子领域的新宠，不仅具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点。场效应管有两种类型，金属-氧化物-半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET)和结型场效应管(Junction FET，JFET)。其中MOSFET在大规模和超大规模集成电路占重要地位。也许在座的有些同学以后工作中会专门研究这个小东西呢。# ]3 w- N. M; [7 N2 R- H
同样看一个科普视频，直观感受一下MOSFET的原理和应用(字幕中个别字有笔误哦)4 c. t& P0 f- y$ e, |9 I
视频只作为科普，视频来源于网络: O" {+ t( q$ v0 S+ _$ [5 m+ F
重点一 FET的分类7 g5 A" x- E0 k- `6 {! L
) c+ j# ~8 U7 K- F% s
1 g7 b: M1 k9 `" D5 ]) M* b
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8 U+ B3 k8 J2 l8 ~! y5 MJFET应用相对较少，因此咱们就不提了，单MOSFET来看，就有N沟道增强型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET和P沟道耗尽型MOSFET。我们学这四种也就够了
+ f9 [ H W, Z+ g% q
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6 A) A" Q5 d( I' }8 V5 @1 u2 _$ V# L+ u! s) N1 j" b
Field Effect Transistor
' @' [! o. N0 ^ v/ {4 O1 o- s/ v
6 F6 M6 _) l$ L. H
' k! s- N, ?2 {0 ] t' M
重点二 N沟道增强型MOSFET的工作原理" @9 m; ^4 W5 U; Y
, _6 U( o6 i' V; I* G8 b5 }$ c* j9 z, v
场效应管的工作原理和晶体三极管不同，BJT是基极电流控制集电极电流，但MOSFET的栅极是绝缘的，根本没电流，因此需要注意下面两个要点
e0 ]# U- G' j% N; I; H第一：需要从它名称出发：电场效应引起电流变化。要牢牢把握的是栅源之间的电压VGS和漏源之间的电压VDS对输出电流ID(沟道)的影响0 B- z+ J+ K3 ~2 u8 m4 y# Z
第二，增强型MOS管的结构特点是最开始没有导电沟道
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3 z0 f, ^5 i0 |3 ]5 r
VGS对沟道的影响+ A- h! c2 a8 |) ^8 C
VGS=0时没有导电沟道，直到增加到形成沟道，这时的电压称为开启电压VT，即VGS=VT时，沟道形成，之后VGS越大，沟道越大) t. h( H& e0 K! a5 a' F4 u
4 E a9 g2 k1 V& _: g8 R, |$ \3 [
VDS对ID的影响
: u! q3 s: q- s2 L, ?9 z' a* a漏源电压在MOS管有了导电沟道之后开始起作用。0 p0 I: T& H9 O3 ^ j! y; O$ `
VDS越大，ID越大，直到VDS=VGS-VT时出现预夹断；预夹断之后，也就是VDS>VGS-VT，VDS增大，ID基本不变Field Effect Transistor. {" [: t9 s" d8 w$ U# \ y# E) D+ ]) H- Q
5 h9 L: Q' y6 B/ |; |; ?, ^5 g; q P4 \3 @. \8 z; t
重点三 N沟道增强型MOS管的伏安特性曲线
7 t$ ^9 G0 R0 l% Y+ e9 l9 q) V( |& j3 W X# ^
o% S* K, _# }5 [% m+ ?9 V2 D
2 f4 c4 a5 w! J3 I8 ~
输出特性曲线
" P$ M+ n3 d( E7 | H1 b
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- i$ Y9 B. v& V. X" }+ m4 c7 U
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# G, h& y1 L8 q漏源电压用于区分可变电阻区和恒流区
V4 c7 p) h9 @ a/ Y% l0~（VGS-VT）之间是可变电阻区0 X% S+ L; n- ~
大于(VGS-VT)是恒流区
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* x, v0 m- L2 j% a转移特性曲线; o6 O# [2 j; X/ X' ^- o
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* M5 ]4 N8 ^6 C9 XQ??: 为何FET不画输入特性曲线？ Q- O2 V' X5 x! K* d* v% O
A??:因为MOS管的输入电流，也就是栅极电流一直等于0
3 M1 d9 H% m) ~- Q/ h$ e' X& ~
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. k1 |$ H2 i& o- M5 V. P栅源电压决定MOS管是否工作，/ i8 S5 z6 u/ }$ b, l% E9 B, j3 @$ g
VGS，电流为零，导电沟道没有形成，管子截止；8 l3 |4 w; a3 |8 y- j: N
VGS≥VT，有了导电沟道，漏源才导通: `6 A+ L: N) I
Field Effect Transistor
9 E4 G# m% Q- Z, y# R2 R( G: d s" C M: J1 K% [3 N
* U* `. Q Q; v
; M' A: b) A. C) N' U& D难点 四种场效应管的特性比较
3 m) c6 P9 C z; _+ ]6 u$ @4 L/ x. P) E/ w( K7 i6 U$ C
6 [0 v' U- M r, L+ C1 F0 k' ?注意：耗尽型MOS由于器件内存在原始导电沟道，所以不再需要通过VGS增大到形成导电沟道后，管子才工作，耗尽型管子在VGS=0时就可以工作。而由于开始就有导电沟道，如果VGS减小，沟道会减小，直至等于夹断电压VP时沟道消失。 x6 O8 j4 q; A# S2 [
" G4 N6 \3 @, @2 U
N沟道MOS管 正常工作要求VDS>0
9 }& g# W" K# I2 k# P) h% v
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7 m' m. L+ u! V! b# z
# q& H" v/ ~) E" O, d ^P沟道MOS管 正常工作要求VDS* |- e4 \9 B# g7 z- Q) I
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/ h) J7 L) _* P9 ~6 pQ:上述四种MOSFET的输出特性曲线，怎么感觉都差不多呀，应该如何区分呢？. c# |$ e+ n+ _
A:先区分N沟道和P沟道
0 ^1 w$ V( r2 s; f4 C! \! R# @. Z0 ^看VDS，6 R+ E* `, L) X. n" H9 v
VDS是正值为N沟道；VDS是负值为P沟道$ P% v: I& ^1 Q% D) F
A: 后区分增强型和耗尽型
9 `% M% \9 f( I! o% ?. G" T看输出特性曲线中是否有VGS=0的那条曲线, b, X6 P ?$ A1 x- W6 N6 M9 {
有VGS=0的曲线，为耗尽型1 `- o, n. p' M$ t" c
无VGS=0的曲线，为增强型% U8 C L- u" W. e
懂了吗？????????????
0 P) y, m( p3 l( Y: Q5 M5 }现学现用，留言区里等着各位哦????????
" l R5 V* t1 v3 F% g
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2 J+ N4 y# P* u8 F, k
互动题
]' q, C+ @0 u# x6 [% k/ k7 C 已知场效应管的输出特性曲线如下图所示，试判断场效应管的类型并确定夹断电压或开启电压的值。
: V8 x# o/ Z1 V7 E1 r) w
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k6 U" g" s% k* H# t
看看谁是第一个回答出来的(????); u6 ~0 x" m; `8 C1 g
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" f0 X1 Z1 R; a7 y! ^· END· |
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