姚奕豪SDRAM

7898 · 发表于 2023-7-17 11:07:32

SDRAM：靠近BGA摆放，600-800MIL有排阻时候800到1000，两片SDRAM点对点对称布局，分顶底对贴与平行对齐摆放特性阻抗50欧，并且的D1-D7 LDQM与D8-D15 HDQM 数据线需要同层走线组内50MIL等长，其余时钟与地址线为一组，组内100
信号线满足3W，数据，时钟与地址控制线之间满足20MIL或者至少3W并且用地隔开，地线最好15MIL以上；