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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动

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发表于 2020-4-15 21:11:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片

  Y8 c% I/ ?, z& R1 ^1 Z
手电筒紫外杀毒灯手电筒专用可单节锂电池供电升压恒流驱动芯片
# c! V' G  i: C, h7 x
可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单

- n8 Z' E" L( c  E* ^- ~1 G& s
最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动

/ k8 R6 G1 m. |2 u" {
描述
  G8 }2 F) G5 o" n4 O2 E% p
AP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误

& |, [7 ]0 h. b( X& n) k
差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成
; d0 S/ T% P2 y* o; E
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
- F7 G6 z. |: d4 Q% o" `
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率
+ {2 ^+ v; K& U" ~1 X; }
MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的
$ a, c  g! V, e) s8 v  X7 w  O
应用电路。

0 s. l: i5 c* q6 p) w, C; I% s
另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电

4 x8 q' D0 L) h9 r5 L
阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电
  V0 f5 b  o2 U9 G
压 (VSENSE) 设定为107mV,因此可减少在
  m; [0 Q) x6 z- S
RSENSE 端产生的损耗。

+ I' b  v1 c0 P6 J; |# R: E
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。
0 T: l' I1 j3 z0 R
并且,采用了SOP8
,散热性好,可适用于高

8 h2 b4 N+ z# a) n. a$ Y
密度安装高精度高效率的应用。

3 r5 S9 U8 e% u( x/ @. r
特点

! V9 K5 u, U2 P! a4 i9 D
 可自由设置恒流大小:如当设定 RSENSE=143mΩ
/ E- s4 V1 H* `
时,恒流值是 750mA。  输入范围:2.5~6V
" W0 ?8 p& K; k# t# k- v9 h
 带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED

0 q2 g0 l, u% x% G( w* E: x
 设置 VOUT=12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V
3 I( L* U1 q2 d- B( E) a% ?
 工作频率:1.0MHz
' I3 A5 h8 V0 ]0 Q
 基准电压:1.25V
* C) i8 H9 D+ e0 ?9 `
0 L# {. o) M& _2 J
 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms(典型值)
5 @% O% z" _* Q  Y" K# T6 U2 h
&#61548; UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V
* Z" I* _/ o1 B9 Y* f" J
&#61548; 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻

: I8 N% t0 S* l  z0 v$ P  c
应用场合

1 u" E+ Z7 z! p1 w/ A
&#61548; 2 串(≤9W)LED 灯 &#61548; 3 串(≤9W)LED 灯

: I) t* p. a& s, {" {* X" y1 ^: l
封装形式 &#61548; SOP8
4 a" a" Q& M6 }# j
8、样板申请联系:

" N  ~' N' i2 P  I. P9 ^1 }5 P
深圳市世微半导体有限公司

4 D5 g3 F2 X* z- X
如需要了解可以联系欧阳: 18811874036 13714437124(微信)QQ:2355558464
7 B0 P+ r  [, ?# y4 j8 y) y
深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326
% @: P1 Q% Y# S' d5 \( ]9 U& E
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