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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动

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发表于 2020-4-15 21:11:19 | 显示全部楼层 |阅读模式
2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片
% a, M! }0 F3 t( V# }
手电筒紫外杀毒灯手电筒专用可单节锂电池供电升压恒流驱动芯片
4 C/ u' a" f( P( k
可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单
* Q& e* {% v. h
最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动
! h" M2 }& w! k+ X$ s* S
描述

6 v7 ?; u! [, t/ f, d( D  d
AP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误

4 W/ \$ x/ b& k2 _8 S* |
差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成

0 G- ?( p9 u+ K0 F7 m
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
/ c. X) i+ t1 Q# o: F
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率

% E) l) J" ^) d8 r3 r1 v& n
MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的

1 C) J# |2 v2 i& j* Q
应用电路。

' _! R( a1 V7 [& q5 m" h
另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电
" m) B, [1 M8 i+ a2 j: _
阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电

) U# l* m$ W* W5 Z4 f7 E1 L; q5 |2 Y
压 (VSENSE) 设定为107mV,因此可减少在

; x6 x1 l, f7 J- x
RSENSE 端产生的损耗。
+ M9 x: k' Z" m4 c; D
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。
' n) X3 e+ ?  g. g' q. c  _6 O
并且,采用了SOP8
,散热性好,可适用于高

. L' s; [  H" F4 Z( j; G: H
密度安装高精度高效率的应用。
4 e3 n) D3 B, x' X$ _; I  U
特点
& X2 V( X8 x5 D8 D" o; m
 可自由设置恒流大小:如当设定 RSENSE=143mΩ

! L1 y7 \1 |* z$ i$ v& I' w  w
时,恒流值是 750mA。  输入范围:2.5~6V

& [* N( [  J7 v& J, K
 带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
% A" y8 ~% o6 W) K; u' b# `( p
 设置 VOUT=12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V

7 f! t# Y' {- ]& y. z- n
 工作频率:1.0MHz
; }/ E' W8 y3 l. G
 基准电压:1.25V

. ^5 g" l% U1 X+ I8 U5 p( Y. O, Q, T
, F1 z6 j; f" i/ q6 u6 O' |9 Z8 R
 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms(典型值)
; p, Y6 O3 ?/ g" M3 Z) d  ^
&#61548; UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V
( E) y% e% P/ d3 ^  y7 s  l
&#61548; 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻

% G4 Z2 N% s% g
应用场合
# P# u' ]( I$ W' p" t' v% j5 ?
&#61548; 2 串(≤9W)LED 灯 &#61548; 3 串(≤9W)LED 灯
0 {2 F4 ^) N4 M
封装形式 &#61548; SOP8
" i" h3 M. ^2 I
8、样板申请联系:
" T# o0 G3 `# l7 y4 ^2 y0 k
深圳市世微半导体有限公司

" C  k+ t$ r, Z' j/ B9 ~8 v' ^
如需要了解可以联系欧阳: 18811874036 13714437124(微信)QQ:2355558464

  {" E3 ]% e- S2 [
深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326

- g; r6 a2 J9 f7 s8 m  l0 H
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