2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片
0 n# h7 }) T" z; |手电筒紫外杀毒灯手电筒专用可单节锂电池供电升压恒流驱动芯片
/ d) W" O, p2 F3 U% t可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单
M: l5 B6 u- D K# l最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动 & }0 d( p4 `0 j' i7 d( f" D
描述
2 j. M i1 \+ T+ |8 [1 v4 yAP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误
9 `5 @$ h8 x- X1 c8 ?5 q/ D0 A- i差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成 # V4 K& _& }. o1 _6 x3 H
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。 9 t# Q; j5 p) m5 H4 |! [3 m
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率 ' G) ?- Z+ m& k+ O3 h" G
MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的 / b+ L" I8 o% r
应用电路。
X5 l' D7 H0 P另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电 : g7 F: ^; t% u
阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电 ) {1 V# g3 M: l. l* b$ N* }
压 (VSENSE) 设定为107mV,因此可减少在
' ]$ r! o; x6 P8 U( B" XRSENSE 端产生的损耗。 5 _4 C7 K5 {, n0 `0 H: q0 N( o) x
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。 4 U3 f/ ^) c) Y9 Y# C
并且,采用了SOP8 ,散热性好,可适用于高
* I( ?5 G' V5 U% `+ ^密度安装高精度高效率的应用。
5 Z- A# d, l- R特点
5 a1 j7 H2 T' K2 L& E2 f2 i 可自由设置恒流大小:如当设定 RSENSE=143mΩ
S0 z |1 {* t9 M n0 F时,恒流值是 750mA。  输入范围:2.5~6V
, @; z6 Y9 n1 E0 U 带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
, x4 \; u$ b+ t 设置 VOUT=12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V
0 f8 _- e, ]* E. E; o ` 工作频率:1.0MHz % q# q& d; h- M1 X$ W* w( ^1 Z% ]
 基准电压:1.25V * p# _' r5 Y2 N8 o
  ~! A, w& J: ~
 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms(典型值)
2 ?$ L& ^5 I9 ?# ]+ I UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V 9 T% p7 l' J* t; h" [4 R: r2 l
 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻
; ]1 s! {" k5 I应用场合
# l4 v( V# i1 a' \6 Y, ?( k 2 串(≤9W)LED 灯  3 串(≤9W)LED 灯 + X2 w1 T1 D: B/ x/ m4 ]6 |
# Q5 }4 b) ^2 k0 {6 d' |; v" A8、样板申请联系:
- Q& d' n$ s8 K. g$ {4 f% d0 d d) m深圳市世微半导体有限公司 - H6 T% U3 v( A, d) S
如需要了解可以联系欧阳: 18811874036 13714437124(微信)QQ:2355558464
" `+ r% n6 [: I8 ^# ~深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326
. O4 ^: T. ^/ g; Y3 D5 v1 N1 Z, r2 r9 Y |