2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片

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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片
# v$ x7 x7 ?& B+ M3 x: b, J手电筒紫外杀毒灯手电筒专用升压恒流驱动芯片
' C5 F8 Q, d$ x( A, u3 p5 L/ ?可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单
, j% P; ^7 {8 N: C( \% r最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动
  a' M# o, O" R4 Y6 w/ K0 h5 y描述
8 @5 S1 }8 Q+ M) Z: `* qAP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误
差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成
1 e4 i: W' J* `2 G/ |6 q& d+ \的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率
MOSFET，因此适用于需要高效率、高输出电流的
应用电路。
另外，可通过在VSENSE端子连接电流检测电
; q! u+ w; k# f" \0 e; [8 q阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电
3 _6 X1 E" K6 N! P3 G# J压 (VSENSE) 设定为107mV，因此可减少在
RSENSE 端产生的损耗。
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。
并且，采用了SOP8封装，散热性好，可适用于高
+ t" i3 N  l0 a* t# {密度安装高精度高效率的应用。
特点
 可自由设置恒流大小：如当设定 RSENSE=143mΩ
时，恒流值是 750mA。  输入范围：2.5~6V
  f& y  S  h4 |$ p 带载输出：2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED
 设置 VOUT=12V 时，推荐 Vin 不低于 3.1V
/ h) u8 ]& b5 S0 R5 @, N) ~ 工作频率：1.0MHz
 基准电压：1.25V

% _0 x' q8 d4 R; X3 D/ J4 _$ u 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms（典型值）
&#61548; UVLO (欠压锁定) 功能：VDD<2.3V
! D$ @" }* f& i& ]; Q, ~7 u) G3 m&#61548; 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻
应用场合
# `9 e  X/ u9 E; R&#61548; 2 串(≤9W)LED 灯 &#61548; 3 串(≤9W)LED 灯
封装形式 &#61548; SOP8
8、样板申请联系：
3 @( j( [: s( ?1 g5 v深圳市世微半导体有限公司
& J! ~. E& o0 h* D: F+ k' |如需要了解可以联系欧阳： 18811874036 13714437124（微信）QQ:2355558464
深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326

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