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2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片

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发表于 2020-4-15 21:09:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
2.5-6V输入电压升压恒流内置MOS驱动芯片6 f$ M& b$ ^* g* ~3 i
手电筒紫外杀毒灯手电筒专用升压恒流驱动芯片
  h9 O0 L# Y/ u% v$ H可单节锂电池供电升压恒流内置MOS外围超简单9 n+ `& ?4 ^% m; W0 w
最大9W升压型DCDC多串LED恒流驱动
1 Y: U# E6 I1 C( Q4 z. K5 d3 k描述: j1 c* l* l! [: z. S! w4 S- P4 T
AP9234是一款由基准电压源、振荡电路、误
7 r" n7 C' x, Y' H! q$ p差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路等构成8 V; V) v5 M% f: U; ?) Q
的CMOS升压型DC/DC LED驱动。
# R* v1 b* @0 {8 o/ p由于内置了低导通电阻的增强型N沟道功率
7 t: s( f/ T  X3 _7 d, n; U1 RMOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的
7 |* ]. J* Q0 [5 W应用电路。7 Y3 y0 O: f  B2 n" J
另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电
% B( F" g; u1 W5 s阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电
( ~6 c& P% F1 P* T压 (VSENSE) 设定为107mV,因此可减少在) f# u" P- m' }0 p
RSENSE 端产生的损耗。3 Y% N: W2 @9 _: y( u* y
AP9234 外围的输出电容可使用陶瓷电容器。
7 r# s/ G. `$ ?6 A" ^8 w& a并且,采用了SOP8封装,散热性好,可适用于高
$ D. D; c9 W0 S! w/ x' T$ J: O) M% q8 B密度安装高精度高效率的应用。
6 j8 A0 K* i- U  G( f- B/ @$ d特点; t$ V! f: b3 u% `3 q9 S# e
 可自由设置恒流大小:如当设定 RSENSE=143mΩ
" d, X. O* n- p" r时,恒流值是 750mA。  输入范围:2.5~6V
5 H5 X. C' n+ V9 }& Z 带载输出:2 串(≤9W)LED, 3 串(≤9W)LED   h& H' j% ?" f; p1 _- Y. K4 X& T
 设置 VOUT=12V 时,推荐 Vin 不低于 3.1V) W( V) T' \, \( `' D! o
 工作频率:1.0MHz) R1 z; D" h# I. v: F$ T/ T
 基准电压:1.25V
" o. T$ r! [) f  w8 b  ?% d1 q4 z  K% B2 y
 消耗电流低 : 静止时 60 µA (典型值)  软启动时间: 2 ms(典型值)
0 ?+ O! L8 F5 e$ r4 y! i  C, o&#61548; UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V# Y( @! D$ n; ?( C) `* t; n  i8 r: t
&#61548; 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、电阻
9 X6 [9 {. `* _8 R( ~" ?应用场合
) H( X; f- l% O, `$ ~&#61548; 2 串(≤9W)LED 灯 &#61548; 3 串(≤9W)LED 灯5 j. m% c' K; a( G3 Z
封装形式 &#61548; SOP8* g2 S, w1 v. ^7 ]5 ~( n, J
8、样板申请联系:
6 S7 w- S/ P* d' g$ M深圳市世微半导体有限公司 : T( O( E8 {  v# x. V# ]
如需要了解可以联系欧阳: 18811874036 13714437124(微信)QQ:2355558464
& F6 }  G; w+ F2 F深圳市宝安西乡街道宝源路名优采购中心B座1区326 1 K* l% w4 U4 g$ f, i# V

+ G0 P- O5 ]& b2 H" A8 J2 q4 t/ @/ a# N- O6 U4 w' X- H

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