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1、 定义 TF 卡： TransFLash ， TF 卡可经 SD 卡转换器后，当 SD 卡使用。 TF 卡产品7 o0 O0 g: w' Z% y/ K& B
采用 SD 架构设计而成， SD 协会于2004年年底正式将其更名为 Micro SD ， 已成为 SD 产品中的一员 。
4 w \/ J& I: o4 L5 b4 o0 \' T+ |SD 卡： Secure Digital Memory Card 是一种基于半导体快闪记忆器的新一+ `8 C: I8 L9 \# M5 _
代记忆设备。
5 k& Z6 h3 l" L) G1 h7 Q$ B/ q' ^5 Q9 T/ V& s
CLK:时钟信号。/ K9 ^6 V" y5 Z3 i5 H0 r
CMD:双向命令和响应信号。
3 w2 b% V, t/ `. h2 lDAT0-3:双向数据信号。2 n. [3 t' q S5 Z8 v
VDD、 VSS:电源和地信号。
/ K! a, M9 Q* J& k& @3 oCD：卡检测。! z4 K' l* X( T P. F
! i; ]+ j, g, y5 A
2、阻抗控制要求0 A8 o% t: `# G7 j' X! S
单端阻抗控制在50欧姆。
' ^- |' P* \' Q, a% J4 r3、 走线要求$ g. f. C8 N3 H7 h- D! r
所有的信号线尽量走在同一层,参考GND平面，尽量避免夸分割的情况出现，' U) I6 y% I2 R: v4 \
特别是时钟线。数据线控制线参照时钟线尽量等长，误差可以放宽点。做到+/-300mil即可。时钟线在空间足够的情况下，采取包地处理。如果做不到，尽量拉开时钟线与其他信号线之间的距离。 大于 3W。在打孔换层的地方增加回流地过孔，缩短回流路径。电源和地走线加宽，请注意载流充足。注意上拉排阻和 SD 卡焊盘之间的间距，不能太近，预防连锡。（ 1.5mm 适宜）. V* C x$ X3 i% K! U$ t4 ?
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